Рекомбинация - электрон
Cтраница 2
При рекомбинации электрона и положительно заряженного иона высвобождается [154] энергия, выделяющаяся либо в виде излучения, либо приводящая к дальнейшему возбуждению иона или диссоциации молекулы, а в случае тройного столкновения переходящая в кинетическую энергию третьей частицы. Примером последнего процесса является поверхностная рекомбинация. [16]
Если рекомбинация электрона и дырки не сопровождается изменением колебательного состояния решетки полупроводника, то переход электрона из зоны проводимости на незаполненный уровень в валентной зоне называют прямым. [17]
При рекомбинации электронов необходимо учитывать два существенно различных случая. [18]
Помимо рекомбинации электронов и дырок в объеме полупроводника, большое значение имеет рекомбинация в поверхностном слое, где она в зависимости от состояния поверхности может приобретать весьма большую вероятность. Важное значение имеет также рекомбинация электронов и дырок при переходе их из одного полупроводника в другой. Теории этих явлений еще не существует. [19]
Помимо рекомбинации электронов и дырок и объеме полупроводника, большое значение имеет рекомбинация в поверхностном слое, где она, в зависимости от состояния поверхности, может оказаться весьма значительной. [20]
При рекомбинации электронов и дырок при определенных условиях происходит испускание квантов излучения. [21]
 |
Полупроводниковый ОКГ инжекционно-го типа. [22] |
Поскольку рекомбинация электронов и дырок происходит в основном в плоскости р-п перехода, то свет интенсивно излучается в местах пересечения р-п перехода с боковыми гранями кристалла. Активная область, в которой создается излучение, имеет толщину порядка 0 15 мкм. При малых токах через диод рекомбинирует только небольшая часть носителей и излучение является некогерентным, спонтанным, широкополосным, ненаправленным. [23]
При рекомбинации электронов и дырок выделяется энергия, равная разности энергетических состояний носителей. Выделяемая энергия может быть излучена в виде фотона или безызлу-чательно передана кристаллической решетке. [24]
Происходит частичная рекомбинация электронов, но основная их часть поступает к коллекторному переходу и за счет экстрации достигает коллектора. [25]
Частота рекомбинации электрона и иона через образование автоионизационного состояния есть произведение вероятности нахождения системы, состоящей из иона и электрона, в автоионизационном состоянии, на частоту перехода системы W а0 из автоионизационного состояния в связанные состояния, из которых атом в дальнейшем переходит в основное состояние. [26]
 |
Распределение концентраций ( а и токов ( б в диоде при прямом смещении. [27] |
Скорость рекомбинации электронов и дырок конечна, поэтому неравновесные носители смогут продвинуться вглубь полупроводника и глубина их проникновения значительно превысит толщину запорного слоя. При этом электронейтральность кристалла за пределами запорного слоя не нарушается, а концентрации неосновных и основных носителей будут повышены. Их распределение показано на рис. 4.2, а, где границы запорного слоя изображены пунктиром. [28]
Явление рекомбинации электрона с ионом заключается в том, что свободный электрон, пролетая в поле иона, захватывается последним и, следовательно, переходит в связанное состояние. При таком процессе освобождается энергия, равная сумме кинетической энергии свободного электрона и его энергии связи. Заштрихованная область на диаграмме энергий соответствует свободным электронам. Кинетическая энергия таких электронов отсчитывается по вертикали от нулевой линии вверх. Освобождающаяся энергия может быть излучена в виде фотона с энергией We 13 5 эв. [29]
Явление рекомбинации электрона с ионом заключается в том, что свободный электрон захватывается ионом и переходит в связанное состояние. При этом освобождается энергия, равная сумме кинетической энергии свободного электрона и энергии его связи. [30]
Страницы: 1 2 3 4