Рекомбинация - электрон
Cтраница 4
Возбуждение происходит путем рекомбинации электронов и дырок около фосфоресцирующих центров примесей. После этого атомы примеси испускают характеристическое флуоресцентное излучение, причем довольно длительное время. [46]
В большинстве полупроводников рекомбинация электронов и дырок происходит главным образом через примесные центры. Поэтому на поверхности, где сконцентрировано большое число дефектов, рекомбинация происходит очень интенсивно. Изменяя ps, можно влиять на скорость поверхностной рекомбинации. [47]
В большинстве полупроводников рекомбинация электронов и дырок происходит главным образом через примесные центры. Поэтому на поверхности, где сконцентрировано большое число дефектов, рекомбинация происходит очень интенсивно. Изменяя cps, можно влиять на скорость поверхностной рекомбинации. [48]
В большинстве полупроводников рекомбинация электронов и дырок происходит гл. [50]
Свечение возникает при рекомбинации электронов и дырок в р - - слое. [51]
Итак, процессу рекомбинации электрона с центром свечения должно предшествовать освобождение электрона из F-центра Из рассмотренных данных следует, что освобождение электрона осуществляется двумя стадиями: сначала светом на уровень возбуждения, а затем термически в зону проводимости. [52]
Так как коэффициент рекомбинации электронов и положительных ионов имеет чрезвычайно малую величину порядка 10 - 8 - 10 - 10, то первый из этих процессов ни в одном газе не может обеспечить требуемую малую величину времени восстановления. Процесс диффузии происходит значительно быстрее, но совершается все еще слишком медленно для достаточно быстрой деэлектронизащш. При обычных конфигурации и размерах антенных переключателей он приводит ко времени восстановления в сотни микросекунд. Однако наполнение разрядников только каким-либо электроотрицательным газом также неприемлемо. В этих газах разряд формируется недостаточно быстро. В то же время электроотрицательные газы быстро жестятся. Поэтому для наполнения антенных переключателей применяется обычно водород или аргон, смешанные с каким-либо электроотрицательным газом. В качестве такового в литературе упоминаются: 02, Н20 ( пары воды), С12, S02, NO. Парциальные давления электроположительного и электроотрицательного газа бе рутся, по литературным данным, равными между собой, а суммарное давление-в пределах от 10 до 33 мм рт. ст. Иногда вместо искусственной примеси пользуются газами, выделяющимися в самом приборе, а также случайными примесями в неочищенном основном газе. Такой прием, понятно, должен приводить к большому разбросу значений времени восстановления, получаемого в результате применения прибора. [53]
Первое определяется токами рекомбинации электронов и дырок, диффундирующих от поверхности к объему. В силу условия нейтральности 8и Ьр, поэтому градиенты концентраций одинаковы. Поскольку результирующего электрического тока в глубь полупроводника быть не может, то вблизи поверхности устанавливается электрическое поле в таком направлении, чтобы ускорить поток дырок и замедлить поток электронов. [54]
Излучение, сопровождающее рекомбинацию электронов, называется свечением рекомбинации. Его спектр непрерывен, так как кинетическая энергия электрона / иг 2 / 2 может иметь в момент рекомбинации различную величину. [55]
Ток, обусловленный рекомбинацией электронов и дырок в области объемного заряда перехода при его прямом смещении, называется рекомбинационным. Обозначим его через / рек. Очевидно, что ток электронов на границе перехода с л-областью превышает его значение 1п ( ха) на границе с р-областью на значение / рек. На такое же значение ток дырок на границе перехода с р-областью превышает его значение 1Р ( - ха) на границе с л-областью. [56]
Выделяющаяся впоследствии энергия при рекомбинации электрона и положительной дырки может, наоборот, обусловить переход иона активирующей примеси в возбужденное состояние и вызвать таким образом излучение при возвращении иона из возбужденного в основное состояние. [57]
Обратные процессы приводят к рекомбинации электронов с ионами. [58]
В базе транзистора происходит рекомбинация электронов с дырками. Концентрация примесей в коллекторе должна быть по возможности меньше чем в базе, поскольку в этом случае коллекторный переход получается более широким и возрастает его напряжение пробоя. [59]
Страницы: 1 2 3 4