Электронная релаксация

Cтраница 1

Электронная релаксация в этих уравнениях учитывается обменом матричных элементов pi3 ( p и р24р; как и ранее, Уц ynHi ( pa - - Pi. [1]

Изученные механизмы электронной релаксации объединяются тем, что оставляют неизменной электронную концентрацию. Наряду с этими механизмами существуют иные возможные переходы, при которых концентрация свободных носителей изменяется. [2]

Чтобы понимать процессы электронной релаксации в парамагнетиках, нужно иметь информацию об электронных энергетических уровнях иона ( состояниях поля кристалла или лиганда), о типе и температурной зависимости взаимодействий между решеткой и ионом для этих состояний, а также о релаксации, которая может происходить между соседними ионами благодаря спин-спиновому взаимодействию. И наконец, должно быть учтено взаимодействие ядер с электронами, так как в конечном счете именно это взаимодействие и наблюдается в мессбауэровских экспериментах. [3]

Поскольку спин-спиновая связь восстанавливается со временем электронной релаксации ( в шкале времени ЯМР-практически мгновенно), а равновесная заселенность уровней-со временем Ti релаксации ядер, в GD-спектре удается частично использовать усиление за счет ЯЭО. [4]

Поскольку спин-спиновая связь восстанавливается со временем электронной релаксации ( в шкале времени ЯМР-практически мгновенно), а равновесная заселенность уровней-со временем 7i релаксации ядер, в GD-спектре удается частично использовать усиление за счет ЯЭО. [5]

Благоприятным является тот факт, что электронная релаксация, очень быстрая вдоль оси А, где электроны с ядрами не разговаривают, гораздо медленнее около В, где они общаются между собой. Конечно, поступая как бережливая дама, которая махала головой вместо веера, вместо кристалла можно вращать магнитное поле. [6]

Вклады в Ag для ди-трет-бутилазотокнсного радикала. [7]

Сольватация радикалов влияет также на скорость электронной релаксации. [8]

Переходы I типа не меняют т1 и поэтому описывают чисто электронную релаксацию. Переходы II, III и IV типов меняют от, вызывая релаксацию спина ядра. Поглощение в обоих этих резонансных эффектах тем интенсивнее, чем больше вероятность резонансных переходов, определяемая разностью населенностей уровней, между к-рымп происходят переходы. [9]

Схема энергетических уровней иминоксильных радикалов в слабых магнитных полях. [10]

Коэффициент увеличения протонной поляризации А тг / т0 зависит от механизма электронной релаксации и от насыщаемого перехода. Изучение соли Фреыи показало, что лишь насыщение переходов 1 - 6 и 4 - 5 ( см. рис. 40) приводит к значительной динамической поляризации ядер растворителя. [11]

Неравновесная населенность электронных зеемановских уровней стремится к своей равновесной величине с характеристическим временем электронной релаксации Т Ю-7-10-5с. Поэтому обнаружение и детектирование ХПЭ требует высокого совершенства техники ЭПР-спектроскопии. [12]

В некоторых случаях т можно определить с помощью явлений, зависящих от механизмов электронной релаксации, разумно сочетаемых друг с другом. [13]

Температурная зависимость вклада различных фонон-ных мод в поглощение звука в германии. [14]

Оценки времен релаксации показывают, что наблюдаемое увеличение поглощения не может быть объяснено только электронной релаксацией. По-видимому, этот эффект связан также с влиянием взаимодействия носителей тока с колебаниями решетки на ее энгармонизм. Оценки, проведенные с использованием данных по влиянию легировании на упругие постоянные 3-го порядка, дают правильную анизотропию эффекта, но ждать от них количественного согласия не приходится, так как поглощение определяется высокочастотными модами. [15]

Страницы: 1 2 3 4