Эпитаксиальный рост

Cтраница 1

Эпитаксиальный рост имеет место также и в случае многофазной кристаллизации сплава в паяном шве. [1]

Эпитаксиальный рост чрезвычайно широко используется в технике для получения тонких монокристальных пленок. [2]

Постоянная Холла для тонких слоев InSb при 280 С. [3]

Эпитаксиальный рост полупроводников является предметом многочисленных исследований, которые привели к следующему: германий на MgO, NaCl, CaF [ 94, с. [4]

Эпитаксиальный рост монокристаллического слоя при подводе компонента из газовой фазы принципиально не отличается от эпи-таксиального роста при подводе компонентов из жидкой фазы. Вообще, газофазные методы получения монокристаллов в основном применяются для получения тонких монокристаллических слоев. Это обычно связано с малыми скоростями монокристаллического роста и трудностями управления процессом. [5]

Под эпитаксиальным ростом кристаллов понимают ориентированное срастание различных кристаллов из раствора, пара или расплава. Осаждение может происходить также электролитическим путем или посредством реакции кристаллической подложки с окружающей средой, например, при ориентированном образовании окислов. Кристаллическая фаза примеси может также образовать единое и ориентированное покрытие, монокристальную структуру которого можно доказать дифракцией электронов или рентгеновских лучей. [6]

Ситуация с эпитаксиальным ростом так же сложна, как с адсорбцией. Еще не создана теоретическая база, которая позволяла бы предсказывать, будет ли данный материал эпитаксиально расти на поверхности другого материала, и если да, то какова будет кристаллография выращенной пленки. То, какие процессы будут при этом происходить, зависит, прежде всего, от сил связи адатом-адатом, атом подложки-атом подложки и атом подложки-адатом, а также от падающего потока, температуры подложки и коэффициента поверхностной диффузии адато-ма. [7]

Триллат [31] изучали эпитаксиальный рост А1 на подложках NaCl ( 100), сколотых на воздухе и в вакууме. Они отмечают, что А1 растет в ориентации ( 100) на NaCl, сколотом в вакууме при температуре выше 440 С. Эту температуру уменьшают до 300 С, когда осаждение проводят на сколотых в воздухе поверхностях. [8]

Это связано с эпитаксиальным ростом кристаллов цеолита L чешуйчатой формы и кристаллов цеолита О в форме стерженьков. Обе структуры построены из цепей канкринитовых е-ячеек и гексагональных призм ( см. гл. Эпитаксия обусловлена прониканием этих цепей через межфазовую границу кристалла. [9]

Влияние технологических параметров на эпитаксиальный рост слоев твердого раствора GaAs - GaP. [10]

Можно полагать, что эпитаксиальный рост CdS на сапфире плоскостью, параллельной оптической оси кристалла, маловероятен. [11]

Электронная микрофотография центра кристалла полиэтилена, выросшего на собственном зародыше. Кристалл оттенен Pd / Аи, угол напыления около 22 к поверхности. [12]

Они обнаружили, что эпитаксиальный рост кристаллов полиэтилена из раствора в ксилоле на поверхности кристаллов галогенидов щелочных металлов резко уменьшается в области повышенных температур между температурой просветления суспензии кристаллов ( 97 С) и максимальной температурой эпитак-сиального роста ( 109 С), до которой большие молекулы могут кристаллизоваться в определенной степени на поверхности соли ( см. разд. В указанной области температур практически весь высокомолекулярный полимер не кристаллизовался эпитак-сиально, а участвовал в образовании зародышей кристаллизации. [13]

Такой метод обычно называют эпитаксиальным ростом. Наиболее важной характеристикой тонких пленок является качество их сцепления с подложкой. [14]

Сопряжение решеток кремния и шпинели. [15]

Страницы: 1 2 3 4