Эпитаксиальный рост

Cтраница 2

Вслед за этим может начаться эпитаксиальный рост кремния. [16]

Приведенные теории полностью не объясняют эпитаксиальный рост пленок, так как все они основаны на неудовлетворительных моделях роста на начальной стадии зарождения. В настоящем разделе будут изложены основные концепции роста эпитаксиального слоя с точки зрения теории зародышеобразования. [17]

Камия и Уеда [563] изучали эпитаксиальный рост серебряной пленки на подложке из монокристаллического сульфида молибдена. Они установили, что дислокации в такой пленке образуются при соединении разных зародышей. [18]

В настоящее время наиболее широко применяют избирательный локальный эпитаксиальный рост с использованием SiO2 - контактных масок с эпитаксиально-планарной технологией. [19]

Масса ртути, осажденной на подложку из кварцевого стекла в зависимости от времени.| Оптическая плотность и удельное сопротивление Bi в зависимости от времени осаждения при разных температурах подложки. [20]

В-третьих, это температура эпитаксии, выше которой наблюдается эпитаксиальный рост осадка на монокристаллическую подложку. Уже доказано [5-8], что температура эпитаксии связана с температурой перехода. [21]

Изменение пересыщения с температурой по длине зоны кристаллизации.| Зависимость высоты топографического дефекта пленки CdTe от скорости роста. [22]

Исходя из этих соображений, становится понятным наблюдаемый к рассматриваемом процессе эпитаксиальный рост теллурида кадмия по всей температурной области зоны кристаллизации в довольно широком интервале значений пересыщения и скоростей роста. Действительно, увеличение температуры подложки Та приводит к возрастанию миграционной способности частиц на ее поверхности, в то время как увеличение фактора пересыщения AZ оказывает в этом смысле обратное влияние. Поэтому поддержание необходимой подвижности частиц при возрастании или уменьшении одной из этих величин должно осуществляться за счет компенсирующего воздействия другой. Это как раз и наблюдается на имеющей экспоненциальный характер температурной зависимости изменения изобарного потенциала AZ ( см. рис. 3), где с повышением температуры растет и величина пересыщения. [23]

Из круга проблем по процессам роста полупроводниковых кристаллов и пленок наибольшего внимания заслуживает эпитаксиальный рост пленок. Эпитаксиальные методы выращивания позволяют получать монокристаллические пленки полупроводников с заданными свойствами, необходимыми в микроэлектронике, квантовой электронике, акустоэлект-ронике и других областях техники. Вместе с тем в процессе роста кристаллов из газовой или жидкой фазы гомоэпитаксиалышй рост тонких пленок многократно реализуется. [24]

Согласно предложенному механизму роста алмаза, продукт реакции ( водород) должен оказывать на эпитаксиальный рост алмаза специфическое действие. Известно, что в обычной химической кинетике конечный продукт реакции смещает равновесие реакции в сторону исходного вещества. При синтезе алмаза деле обстоит совершенно по-другому. Из ( 19) можно показать, чтс возможны условия, при которых рост алмаза в присутствии водорода ускоряется, причем это не связано с уменьшением скорости роста графита. [25]

Тонкие металлические пленки очень удобно получать путем напыления в высоком вакууме на подложку, обеспечивающую эпитаксиальный рост. Таким путем были получены тонкие пленки золота и серебра. [26]

При очень быстрой смене источников через промежутки времени, соответствующие нарастанию примерно мономолекулярного слоя каждого состава, наблюдается эпитаксиальный рост однородного твердого раствора. Его состав зависит прежде всего от состава сменных источников и продолжительности переноса вещества из каждого источника. [27]

Кривая накопления массы т и толщины слоя продукта х в реакции 2ZnO iSiO2 Zn2SiO4 на воздухе при 1348 С. [28]

Сама реакция практически заключается в переходе ионов из октаэдрических в тетраэдрические узлы жесткого кислородного каркаса, вследствие чего часто наблюдается эпитаксиальный рост продуктов. [29]

Сферолиты в изотактическом полипропилене могут быть как положительными, так и отрицательными - в зависимости от условий охлаждения, определяющих эпитаксиальный рост вторичных ламелей на первичных ламелях. Медленная кристаллизация приводит к образованию отрицательных сферолитов. [30]

Страницы: 1 2 3 4