Эпитаксиальный рост

Cтраница 4

При эпитаксии большая роль отводится поверхностному состоянию подложки. К настоящему времени влияние структурного состояния поверхности на эпитаксиальный рост изучено еще недостаточно. [46]

Зародыши начинают образовываться, как только на гомогенной стадии ступенчатой реакции [ разд. Интересным проявлением конкуренции между зародышеобразованием и кристаллизацией является эпитаксиальный рост кристаллов из водных растворов формальдегида на вытянутом полиоксиметилене. Молекулярный вес в этом случае лимитируется расстоянием между исходными зародышами на подложке ( см. разд. [47]

С, имеют значительно более совершенную микроструктуру. При нанесении Si на нагретые до 1150СС подложки из рекристаллизованного металлургического кремния происходит эпитаксиальный рост пленок, которые по внешнему виду не отличаются от подложек. При рекристаллизации кремниевых пленок, осаждаемых на титановые подложки со слоем оксида алюминия, Сэйто и др. [ 15 наблюдали рост дендритных кристаллов шириной около 0 3 мм и длиной, составляющей несколько сантиметров. [48]

При увеличении температуры подложки и степени пересыщения на границе пар - кристалл допустимое различие в параметрах решетки возрастает. Увеличение взаимодействия между осаждаемыми частицами затрудняет, а увеличение взаимодействия частиц с подложкой облегчает эпитаксиальный рост. [49]

Отсутствие какого-либо влияния структурных нарушений подложки на структуру эпитаксиального слоя позволяет предположить, что в процессе наращивания методом жидкостной эпитаксии происходит изменение структуры в поверхностных слоях подложки. Для проверки этого предположения процесс наращивания прекращали на первоначальном этапе, когда фактически не происходил эпитаксиальный рост, а раствор Ga, еще не насыщенный As, травил подложку. [50]

Таким образом, на основании обобщения вышеизложенного может быть предложен следующий механизм каталитического образования углерода. При температуре процесса ниже, чем граничная для образования пироуглерода, происходит каталитическое разложение углеводорода и эпитаксиальный рост нитевидного кристалла углерода. [51]

В нем используются напыленные металлические пленки, лишь незначительно различающиеся параметрами решетки. Первый слой напыляется на грань кристалла ( например, слюды или хлористого натрия), чтобы обеспечить эпитаксиальный рост. Второй слой напыляется поверх первого и тоже растет эпитаксиально. Такой сандвич можно отделить от подложки, растворив ее в подходящем реактиве. [52]

Условия образования авто-эпитаксиальных пленок германия. Кривая А соответствует VK 0 5. [53]

Результаты соответствующих расчетов нанесены на график рис. 3.24 в координатах VK и Тк. Здесь вся область параметров конденсации разбивается на три зоны: 1) между кривыми А и Б - эпитаксиальный рост; 2) выше кривой А - неэпи-таксиальный рост; 3) под линией Б - область роста окисной пленки. Точка пересечения кривых А и Б характеризует критические параметры эпитак-сии - температуру Тк и соответствующую ей скорость VK при данном давлении. На рис. 3.24 представлены и экспериментальные результаты, в общих чертах удовлетворительно согласующиеся с расчетными данными. [54]

Так как скорость диффузии ионов железа в феррите магния несколько больше, чем в окиси магния, то при взаимодействии монокристалла окиси магния с окисью железа к границе раздела фаз MgO / MgFe2O4 ионов железа поступает больше, чем их отводится в глубь кристалла. Поэтому в локальных микрообластях поверхностного слоя MgO в какой-то момент времени концентрация железа превышает равновесную, и пересыщение снимается эпитаксиальным ростом монокристаллического слоя феррита. В зависимости от времени взаимодействия размер диффузионной зоны окиси магния увеличивается незначительно, и скорость отвода ионов железа от поверхности раздела фаз MgO / MgF2O4 меняется мало. По этой причине достижение критического пересыщения и, следовательно, скорость роста монокристаллического слоя феррита магния определяются диффузией ионов железа и магния через слой шпинели, а не их диффузией в монокристалле окиси магния. [55]

Ионно-плазменная модификация поверхностных слоев сопровождается образованием тонких покрытий с особой структурой, которое происходит в неравновесных условиях. При взаимодействии ионных потоков на границе подложки с покрытием происходят сложные физико-химические процессы, такие, как диффузия компонентов покрытия в материал основы, эпитаксиальный рост кристаллитов на подложке, текстурирование микрообъемов покрытия, образование хрупких соединений в области границы раздела. Вследствие протекания плазмохи-мических процессов при взаимодействии элементов покрытия с матрицей, а также с атомами рабочего газа возможно образование неравновесных структур, новых химических соединений и фаз нестехиометри-ческого состава. Проблемы получения качественных покрытий связаны с формированием однородных стехиометрических поверхностных слоев требуемого состава с высокой адгезией к материалу основы. [56]

Известно, что стекла, содержащие от 2 до 20 % ТЮ2, кристаллизуются с образованием однородной структуры, что обусловлено в отличие от поверхностной кристаллизации внутренним, или гомогенным, образованием центров кристаллизации по всему объему изделия. Поэтому вначале предполагали, что ТЮ2 действует аналогично металлам в светочувствительных стеклах, где на выделенных равномерно по всему объему металлических частицах имеет место эпитаксиальный рост неметаллических кристаллов. [57]

Электронографические исследования пленок толщиной порядка 1000 А показали, что они состоят из гексагональных кристалликов, обычно ориентированных плоскостью ( 0001) параллельно подложке, с азимутальной разориентировкой. В тех случаях, когда золотые пленки, используемые в качестве подложек, характеризуются высокой степенью упорядочения и ориентированы плоскостью ( 111) параллельно поверхности, имеет место эпитаксиальный рост, и пленки CdS продолжают расти так, чтобы ось С была перпендикулярна к поверхности, даже при наклонном падении потока испаряемых частиц. Если золотые пленки ориентированы беспорядочно, напыление в наклонном потоке приводит к образованию пленок с совершенно другой ориентацией. [58]

Как указывалось в разд. Пальмберг it др. ( 102 ] изучали эпитаксиальный рост серебра и золота на КС1 с помощью дифракции электронов низких энергий. Наблюдения с помощью этого метода усложняются загрязнением от подложки КС. Поверхность диссоциирует на К и С1, которые мигрируют на металлическую поверхность, образуя загрязненную структуру. Однако в случае золота появляется структура ( 1 X 5), что соответствует наблюдениям других авторов [235] над объемными кристаллами золота. [59]

Страницы: 1 2 3 4