Эпитаксиальный рост

Cтраница 3

Бинсберген [22] сообщил, что в противоположность патентным данным неорганические соли и окиси оказались неактивными зароды-шеобразователями и что при кристаллизации растворов и расплавов происходит одновременно эпитаксиальный рост и транскристаллизация. Было обнаружено, что хорошими зародышеобразующими свойствами обладают тонкая дисперсия мелких кристалликов и тонкие кристаллические слои, адсорбированные на поверхности другого вещества. Хорошие зародышеобразователи не растворяются в полимерах или кристаллизуются при охлаждении перед кристаллизацией полимера. По-видимому, отличительной особенностью кристаллов соединений, способных оказывать хорошее зародышеобразующее действие, является существование на их поверхности чередующихся рядов полярных и неполярных групп. [31]

Экспериментальная кривая зависимости предельной концентрации островков в золотой пленке, напыленной на подложку из каменной соли, сколотую в вакууме, от температуры [ 17. [32]

Было показано [14], что вероятность эпитак-сиальной ориентации небольшого зародыша на подложке должна сильно зависеть от его размера, поэтому температура, при которой начинается эпитаксиальный рост. [33]

Стекло с каплеобразными областями расслоения Стекловидная часть вверху справа слегка протравлена в плавиковой кислоте.| Стекло в стадии конца. [34]

Фогель и Герт [171, 172, 745] считают, что катализированная кристаллизация стекла определяется в основном двумя процессами: фазовым расслоением в стекле, которому способствует ТЮ2, и последующим эпитаксиальным ростом основной выделяющейся кристаллической фазы на образовавшихся центрах кристаллизации. Предполагается, что при охлаждении расплава стекла в нем происходят процессы агрегации определенных атомов или их групп. Степень упорядоченности этих группировок зависит от скорости охлаждения. При быстром охлаждении процесс ориентации не успевает завершиться, расплав затвердевает в виде однородного стекла. [35]

Схема, иллюстрирую - ЖИДКОФЗЗНОЙ ЭПИТЗКСИИ. Для щая относительнЬсть понятия u r. [36]

Кристаллографическая ориентация подложки оказывает существенное влияние на толщину и морфологию поверхности эпитаксиального слоя, его структурное совершенство и однородность распределения компонентов и примесей по толщине. Эпитаксиальный рост на гладких плот-ноупакованных сингулярных плоскостях вследствие малых скоростей их роста обеспечивает морфологическое совершенство поверхности и меньшую дефектность структуры. По этой же причине сингулярные плоскости легче захватывают примеси, чем несингулярные. [37]

Эпитаксиальный рост германия на других полупроводниковых подложках начали изучать недавно. [38]

Модель роста винтовой дислокации. [39]

Иногда структура растущего осадка повторяет структуру металла основы. Такое явление называется эпитаксиальным ростом. [40]

Понятие эпитаксия применяется также к росту тонкой пленки на подложке собственного материала. В частности, под эпитаксиальным ростом часто понимают процессы выращивания тонких пленок посредством химических транспортных реакций. [41]

Уширение происходит тогда, когда периоды дефектов имеют разброс вокруг некоторого среднего значения: чем больше разброс, тем больше уширение дифрагированных лучей. Примером такой ситуации может служить эпитаксиальный рост ( см. главу б), при котором на монокристаллической подложке растут островки осаждаемого материала, внутри которых имеется кристаллический порядок и расстояния между которыми составляют некоторое распределение. [42]

В [129, 131] показано, что эпитаксиальный рост пленок теллурида свинца на NaCl с ориентацией ( 001) РЬТе) ( 001) NaCl происходит путем перехода из одного квазиравновесного состояния в другое. Такая форма кристаллов объясняется преимущественным ростом их боковых граней за счет молекул, адсорбированных на поверхности подложки. [43]

В [129, 131] показано, что эпитаксиальный рост пленок теллурида свинца на NaCl с ориентацией ( 001) РЬТеЦ ( 001) NaCl происходит путем перехода из одного квазиравновесного состояния в другое. Такая форма кристаллов объясняется преимущественным ростом их боковых граней за счет молекул, адсорбированных на поверхности подложки. [44]

При разумном выборе параметров процесса осаждения с учетом свойств конкретных материалов тонкой пленки и подложки легко получить пленки с крупными ( - 1 мкм) ориентированными зернами. При использовании соответствующей монокристаллической подложки происходит эпитаксиальный рост мозаичных кристаллов размером в пределах нескольких десят-ко микрометров с малоугловым. Вакуумное осаждение в наибольшей степени подходит для получения эпитаксиальных пленок, однако из-за необходимости разработки дешевых высокоэффективных солнечных Элементов большой площади объем исследований эпитаксиальных пленок для солнечных элементов в настоящее время ограничен изучением фундаментальных вопросов и получением пленок для солнечных элементов специального назначения, например для работы при концентрированном излучении и в каскадных системах. Некоторые из применяемых методов вакуумного осаждения рассмотрены в следующих разделах. [45]

Страницы: 1 2 3 4