Свойство - переход
Cтраница 1
Свойства переходов в солнечных элементах на основе CuInSe2 - CdS подробно не изучались. [1]
 |
Излучающий диод на.| Разрез структуры излучающего диода.| Диаграмма направленности излучающего диода.| Конструкция оптотиристора типа. [2] |
Свойство р-п перехода излучать свет при рекомбинации используется в полупроводниковых излучающих диодах. [3]
Суммируя свойства перехода к синхронизации, подчеркнем, что мы имеем здесь дело с бифуркацией хаос-хаос, которая размазана по параметру. Эта ситуация типична для хаотических систем с флуктуирующими локальными по времени показателями Ляпунова. Необычные свойства перехода проявляются и в более сложных ситуациях, обсуждению которых посвящена следующая глава. [5]
Это свойство р-п перехода используется в варикапах - полупроводниковых диодах с управляемой величиной емкости ( гл. [6]
Обсуждая свойства полупроводникового перехода, мы предполагали, что дырки и электроны действуют более или менее независимо, если не считать того, что они как-то все же приходят в тепловое равновесие. Когда мы говорили о токе, получающемся при освещении перехода светом, то предполагали, что электрон или дырка, образующиеся в области перехода, прежде чем аннигилировать с носителем противоположной полярности, успеют попасть в само тело кристалла. В непосредственной близости от перехода, где плотности носителей обоих знаков примерно одинаковы, аннигиляция пар электрон - дырка ( называемая часто рекомбинацией) - очень важный эффект, и его следует принимать во внимание при детальном анализе полупроводникового перехода. [7]
Теоретический анализ свойств переходов, образующихся между и - и р-областями одного и того же материала, оказывается наиболее простым, благодаря чему теория гомогенных переходов разработана довольно подробно. Подобные переходы создают, как правило, посредством перекомпенсации легированного монокристалла при введении в него диффузионным методом легирующей примеси, обеспечивающей проводимость противоположного типа. Так, при диффузии фосфора в легированный бором кремний р-типа образуется тонкий слой материала проводимости и-типа. [8]
Для улучшения свойств р-п переходов, появляющихся в районе точечных контактов, применялась электрическая формовка, состоявшая в пропускании через контакты постоянного тока. Транзистор - наиболее универсальный полупроводниковый усилительный прибор, выполняющий те же функции, что и электронная лампа с управляющей сеткой. [9]
В диапазоне СВЧ свойства р-п перехода коренным образом отличаются от его свойств на низких частотах. Однако отношение IJI, как можно показать, не должно превосходить величины ( / сот. [10]
Термопластичные пластификаторы обладают обратимым свойством перехода из жидкого в твердое состояние также в известных температурных пределах. Типичными такими пластификаторами являются воск, парафин, стеарин. Вводя в сухую керамическую массу различное количество термопластичного пластификатора и меняя его вязкость путем нагрева до температур, превышающих температуру его плавления, можно получить массу в пастообразном или жидком текучем состоянии. При охлаждении паста или суспензия затвердевают в форме изделия до достаточной прочности. Применяя в качестве связи органические пластификаторы для изготовления изделий, пользуются следующими методами: 1) прессованием пластифицированных порошков; 2) протяжкой через мундштук пластифицированных масс в пастообразном состоянии; 3) обточкой затвердевших пластифицированных заготовок; 4) литьем под давлением вязкотекущих, разогретых до 80 - 90 С шликеров в охлаждаемые металлические формы. [11]
В полупроводниковых диодах используется свойство р-п перехода, а также других электрических переходов хорошо проводить электрический ток в одном направлении и плохо - в противоположном. Эти токи и соответствующие им напряжения между выводами диода называются прямым и обратным токами, прямым и обратным напряжениями. [12]
В полупроводниковых диодах используется свойство р-п перехода, а также других электрических переходов хорошо проводить электрический ток в одном направлении и плохо пропускать его в противоположном направлении. Эти токи и соответствующие им напряжения между выводами полупроводникового диода называются прямым и обратным токами, прямым и обратным напряжениями. [13]
Разобрав в предыдущей беседе свойства переходов, наши два друга приступают здесь к изучению транзистора, у которого при первом же знакомстве обнаруживаются глубокое сходство и не менее глубокое различие с электронной лампой. Любознайкин и Незнайкин разбирают сущность процесса усиления транзистора и делают интересные наблюдения относительно входного и выходного сопротивлений транзистора. [14]
Сд, Емкость Сд отображает свойство перехода накапливать заряд q6, а сопротивление р, шунтирующее емкость Сд, характеризует процесс рекомбинации с постоянной времени тр. [15]
Страницы: 1 2 3 4