Свойство - переход
Cтраница 4
 |
Типичные конструкции терморезисторов. а - бусинковый. б, в - стерженьковые. г - шайбовый. О - таблеточный. / - рабочее тело. г - выводы. [46] |
Электронно-дырочный переход ( р-п переход) обладает свойством односторонней проводимости, и простейшим прибором, основанным на использовании свойств р-п перехода, является диод. Сочетание двух и более р-п переходов в одном кристалле при определенных условиях позволяет получить приборы, вольт-амперные характеристики которых могут деформироваться в желаемом направлении под действием электрического сигнала или при воздействии других внешних факторов. К приборам данной группы относятся транзисторы, фотодиоды, фототранзисторы, термодиоды и термотранзисторы, тиристоры, фототиристоры и другие многослойные приборы. [47]
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним p - n - переходом и двумя выводами, в котором используются свойства перехода. [48]
Реальные жесткоцепные макромолекулы всегда обладают некоторой конечной гибкостью, поэтому для применения полученных выше результатов к реальным полимерным растворам необходимо проанализировать влияние гибкости цепи на свойства жидкокристаллического перехода. [49]
Вопроо о кояпвотввнвом ооотножеввв овх ооцвахвторов другвх опевтроокопячеоквх парвкетров в разлвчвнх аграгахвих ооотоамвх мявмя предметом самоотоятвяьиого раоомотренвя о точке армия мвяявя ММВ на ооботявянвв олектросюпвивмтв свойстве оптвчесввх переходов. [50]
Это, а также тот факт, что разность между тривиальными и нетривиальными значениями а и д мала ( см. уравнения (5.65) - (5.66)), затрудняют экспериментальное подтверждение предсказанных универсальных свойств перехода. [51]
Свойства плоскостного полупроводникового триода типа р-п - р ( или п-р - п), по сути дела представляющего собой два р-п-перехода, выполненных в виде единого кристалла германия ( или кремния), не могут быть получены простым суммированием свойств перехода. В самом деле, если решить задачу о вольт-амперных соотношениях для двух переходов, сконструированных в виде единого кристалла, при введенных ранее предположениях и обычном для транзистора режиме смещения, то можно сделать вывод, что входной ток может эффективно управлять выходными токами прибора только при условии, что толщина базы много меньше диффузионной длины неосновных носителей в базовой области. Необходимым условием для этого является малость ширины базового слоя по сравнению с длиной диффузии неосновных носителей в материале области базы. [52]
 |
Объяснение механизма тока в электронно-дырочном переходе. [53] |
Итак, сопротивление р-п перехода зависит от направления тока: при полярности, обеспечивающей движение основных носителей через границу, сопротивление мало и убывает с ростом напряжения; при обратной же полярности сопротивление велико и незначительно зависит от приложенного напряжения. Такое свойство р-п перехода обеспечивает возможности создания различных технических устройств и в первую очередь выпрямителей. Выпрямители, создаваемые на основе кристаллов германия или кремния, будем называть полупроводниковыми ( кристаллическими) диодами. Следует отметить, что в действительности процессы в р-п переходе более сложны; мы изложили их лишь в упрощенном представлении. [54]
При непосредственном контактировании двух полупроводников, один из которых обладает электронной, а другой - дырочной проводимостью, получается так называемый электронно-дырочный ( р-п) переход, основным свойством которого является зависимость величины его сопротивления от полярности приложенного напряжения. Это свойство р-п перехода, обусловливающее его выпрямляющее действие, положено в основу создания как неуправляемых, так и управляемых полупроводниковых вентилей. [55]
Это свойство р-п перехода называют вентильным; оно лежит в основе устройства почти всех полупроводниковых приборов. [56]
Опыты проводят на заготовках кремния с допустимым разбросом значений удельного сопротивления. Измерения свойств переходов производят при различных температурах и времени диффузии. Режим диффузии фосфора подбирают на заготовках дырочной, а бора - электронной проводимости. [57]
Характеристика рис. 1.3, а практически соответствует характеристике идеального вентиля, у которого имеют место нулевое падение напряжения при протекании прямого тока и нулевой ток при приложении обратного напряжения. Следовательно, свойства р-п перехода близки к свойствам идеального вентиля. [59]
Страницы: 1 2 3 4