Свойство - переход
Cтраница 3
Первые две главы посвящены физике контактных явлений и свойствам р-п перехода, которые являются основой для описания физических процессов, происходящих в полупроводниковых приборах. [31]
 |
Вольтамперные характеристики плоскостного и точечного диодов. [32] |
В предыдущей главе мы упоминали о том, что свойства р-п перехода в местах его выхода на поверхность сильно зависят от состояния поверхности. Повышенная влажность, кислородная атмосфера и запыленность могут значительно изменить время жизни, скорость рекомбинации и толщину слоя объемного заряда р-п перехода у поверхности, а это приводит к изменению параметров полупроводниковых приборов. [33]
 |
Схема замещения р-п-перехода. [34] |
С - возрастанием рабочей частоты емкость CD начинает оказывать влияние на свойства перехода. CD должна присутствовать в схеме замещения, так как она практически определяет сопротивление р - п-перехода. [35]
Сведения, приведенные в данной главе, дают общую информацию о свойствах р-п перехода и основных процессах в транзисторе. Более подробные специальные сведения об электрических параметрах и их свойствах даны в следующих главах. [36]
Таким образом, в этом частном случае мы вновь получим указанные выше свойства переходов в области низких и высоких температур. [37]
В этом разделе речь пойдет об измерениях, которые позволяют получить информацию о свойствах перехода и его диодных характеристиках. К ним в первую очередь относятся измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик при различных температурах и интенсивностях излучения. Рассмотрен также метод емкостной спектроскопии глубоких уровней, основанный на изучении процесса релаксации емкости перехода при обратном смещении, с помощью которого можно получить полезные сведения о параметрах центров рекомбинации. [38]
Поэтому мы наиболее полно рассмотрим изученное Аносовым [8] влияние на вид кривой состав - свойство перехода от концентраций в весовых долях к концентрациям в мольных долях и обратно. [39]
 |
Схема ТПУ с общим эмиттером. [40] |
Надо полагать, что у транзистора ГТ311 внешняя емкость коллекторного перехода больше внутренней и свойства перехода определяются в основном внешней емкостью. В некоторых случаях бывает удобна схема, обеспечивающая работу каскада в широкой полосе частот без перестройки. Иногда широкая полоса пропускания является необходимой. [41]
В результате такие ионы могут образовывать в пленках двуокиси кремния подвижные объемные заряды, влияющие на свойства перехода. [42]
 |
Мультивибратор с ограни. [43] |
Ек до напряжения пробоя ( / пр, после чего происходит обычный разряд емкости, так как свойства перехода восстанавливаются. [44]
Лишь при низкой температуре V можно сравнить с v в сильном электрическом поле: в этом случае свойства перехода глубоко изменяются ( проблема горячего электрона см. гл. [45]
Страницы: 1 2 3 4