Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Если ты закладываешь чушь в компьютер, ничего кроме чуши он обратно не выдаст. Но эта чушь, пройдя через довольно дорогую машину, некоим образом облагораживается, и никто не решается критиковать ее. Законы Мерфи (еще...)

Свойство - переход

Cтраница 2

Характерные свойства различных типов перемежаемости.  [16]

В табл. 6 собраны некоторые типичные измеримые свойства перехода к хаосу через перемежаемость. Разные виды перемежаемости можно различить по формуле сигнала и по распределению Р ( У) длин ламинарных участков.  [17]

Вещественная и мнимая части описывают соответственно дисперсионные и поглощательные свойства перехода.  [18]

При больших значениях отпирающего напряжения свойства перехода коллектор - эммитер приближаются к свойствам идеального источника напряжения, а при больших запирающих - к свойствам идеального источника тока. На рис. 4 - 3 показаны характеристики транзистора в прямом ( сплошая линия) и инверсном ( штриховая) включениях, характеризующие открытое и закрытое состояния. Прямые 1 н 1 соответствуют режиму открытого ключа и характеризуются малым сопротивлением перехода коллектор - эмиттер, пропорциональным котангенсу угла наклона к абсциссе, при большом токе базы. Прямые 2 и У характеризуют закрытое состояние транзистора при отрицательном токе базы.  [19]

Энергетическая схема и распределение токов в транзисторе п-р - п типа.  [20]

В основу конструкции транзистора также положены свойства р-п перехода. На рис. 1 - 3 приведена энергетическая схема транзистора п-р - п типа.  [21]

Влияние температуры на ЛБ-параметры маломощного плоскостного транзистора ( а и форму его выходных характеристик ( б.  [22]

Диапазон рабочих температур транзисторов, определяемый свойствами р-п переходов, такой же, как и у полупроводниковых диодов. Представление о влиянии нагрева на ft - параметры дают графики рис. 7.17, а, построенные для маломощного плоскостного транзистора, включенного по схеме с общей базой. Кроме изменения значения основных параметров транзистора, нагрев вызывает смещение выходных характеристик и изменение их наклона ( рис. 7.17, б), что также нарушает нормальную работу прибора.  [23]

Особенно сильно сказывается действие влаги на свойствах германиевых переходов, так как поверхностный слой окислов германия не обладает достаточной устойчивостью к воде.  [24]

В соответствии с этим сначала будут рассмотрены свойства р-п перехода, затем идеальный транзистор и в заключение модель реального транзистора.  [25]

В приборах с точечным контактом также используются свойства р-п перехода. Основная масса кристалла, применяемого в этих приборах, обладает проводимостью одного типа, а небольшие участки на его поверхности имеют проводимость другого типа. Последняя создается благодаря наличию примесей в кристалле полупроводника.  [26]

С - некоторая постоянная, зависящая от свойств перехода, используемого для реализации интегрального диода.  [27]

Контакт полупроводника п типа с металлом при условии, что работа выхода из полупроводника больше, чем из металла. а - начальный потенциальный барьер. б-распределение контактной разности потенциалов между соприкасающимися телами. в - потенциальный барьер при равновесии.  [28]

Электрические свойства рассмотренного контакта должны совпадать со свойствами п-п перехода. Действительно, потенциальный барьер, расположенный в слое пространственного заряда, обладает вольт-амперной характеристикой именно такого перехода, а потенциальный барьер непосредственно на границе раздела с металлом отсутствует. Последнее соответствует невыпрямляющему контакту к обогащенной поверхности полупроводника.  [29]

Как отмечалось в § 3.2, для описания свойств джозефсонов-ских переходов с безгистерезисной ВАХ: ДТК и переходов СПС и СНС - наиболее подходящей является резистивная модель.  [30]

Страницы:      1    2    3    4