Свойство - транзистор
Cтраница 1
Свойства транзисторов на внешних зажимах определяются совокупностью одновременно действующих физических явлений. Физическая эквивалентная схема позволяет дифференцированно характеризовать эти явления. [1]
Свойства транзисторов оценивают по их параметрам. Положительные направления переменных напряжений: и токов на входе U, I и на выходе U 2, / 2, показанные стрелками, приняты условно. Наибольшее практическое применение получила система Л - параметров, которую называют смешанной из-за наличия в ней размерных и безразмерных величин. Параметры этой системы в отличие от систем г и у нетрудно измерить для реального режима работы транзистора. [2]
Свойства транзисторов, весьма отличные от свойств электронных ламп, определяют необходимость применения особых схем связи между каскадами. Рассматривая различные способы обеспечения связи, профессор Радиоль, в частности, показывает интересные двухтактные схемы, используемые в радиоприемниках. [3]
 |
Вольт-амперная характеристика диода. [4] |
Свойства транзисторов в основном оценивают при помощи семейства входных и выходных статических характеристик, снимаемых в схеме с общей базой ОБ и общим эмиттером ОЭ. [5]
Свойства транзисторов в схеме с общим эмиттером достаточно полно описываются входной и передаточной характеристикой. [6]
Свойство транзистора создавать большие колебания силы тока в цепи коллектора при небольших изменениях силы тока в цепи базы позволяет использовать его в качестве усилителя колебаний силы тока и напряжения. [7]
Свойства транзисторов позволяют построить схемы триггеров, не имеющих ламповых аналогов. [8]
 |
Активный четырехполюсник 64. [9] |
Свойства транзисторов оцениваются по их параметрам. Положительные направления переменных напряжений и токов на входе U, / i и на выходе L / 2, / 2, показанные стрелками, приняты условно. Наибольшее практическое применение получила система / г-параметров, которую называют смешанной из-за наличия в ней размерных и безразмерных величин. [10]
 |
Временная диаграмма транзистора, работающего в кас. [11] |
Свойства транзистора таковы, что коэффициент усиления каскада ОЭ KVCml Ubm, зависящий от RI, может быть больше единицы. [12]
Свойства транзисторов в рабочем ( динамическом) режиме оцениваются по их характеристическим параметрам, которые устанавливают связь между малыми изменениями токов и напряжений. В настоящее время наиболее распространена система Л - па-раметров, выражающая функциональную зависимость между входным напряжением, входным током и выходным напряжением и зависимость между выходным током, входным током и выходным напряжением. [13]
Свойства транзисторов в рабочем ( динамическом) режиме оцениваются по их характеристическим параметрам, которые устанавливают связь между малыми изменениями токов и напряжений. В настоящее время наиболее распространена система / г-параметров, выражающая функциональную зависимость между входным напряжением, входным током и выходным напряжением и зависимость между выходным током, входным током и выходным напряжением. [14]
Свойства транзисторов в рабочем ( динамическом) режиме оцениваются по их характеристическим параметрам, представляющим собой величины, которые устанавливают связь между малыми изменениями токов и напряжений. Наиболее распространена система Л - параметров, выражающая функциональную зависимость между входными напряжением и током и выходным напряжением. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5