Свойство - транзистор
Cтраница 2
Свойства транзисторов оценивают по их параметрам. Положительные направления переменных напряжений: и токов на входе U, I и на выходе U 2, / 2, показанные стрелками, приняты условно. Наибольшее практическое применение получила система Л - параметров, которую называют смешанной из-за наличия в ней размерных и безразмерных величин. Параметры этой системы в отличие от систем г и у нетрудно измерить для реального режима работы транзистора. [16]
 |
Биполярный транзистор. [17] |
Ос-новные свойства транзистора определяются процессами в его базе. Если база однородна, то движение носителей в ней связано только с диффузией. [18]
 |
Схема транзисторного удвоителя частоты. [19] |
Умножительные свойства транзистора, обусловленные отсечкой коллекторного тока, улучшаются благодаря использованию нелинейного характера емкости коллектор - база СКБ транзистора. [20]
 |
Внешний вид ( а, схематическое обозначение ( б, устройство и включение ( в фоторезистора. [21] |
Это свойство транзисторов, аналогичное свойствам фотоэлементов с внутренним фотоэффектом, широко используется радиолюбителями-экспериментаторами в самодельных приборах-автоматах. [22]
 |
Транзисторный переключатель. [23] |
Такое свойство транзистора, как насыщение, используется в транзисторных переключателях. Схема транзисторного переключателя изображена на рис. 4.9. В схеме присутствует светоизлучающий диод, который включается, если на вход поступает 5 В, и выключается, если сигнал отсутствует. [24]
На свойства транзистора влияют барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов, лавинное умножение носителей при больших обратных напряжениях, ток утечки и др. Так, с учетом лавинного умножения ( стр. [25]
 |
Семейство входных ( а и выходных ( б вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.| В. Эквивалентная схема биполярного транзистора. [26] |
Описание свойств транзистора с помощью входных и выходных статических характеристик не является достаточно полным. Статические характеристики снимаются при сравнительно медленных изменениях напряжений и токов на электродах, поэтому частотная зависимость параметров, вызываемая конечной скоростью перемещения носителей зарядов в транзисторе, не проявляется. [27]
Описанные здесь свойства транзистора применимы также к п-р - п транзистору. Конструктивные варианты транзисторов описаны во втором томе. [28]
Давайте сравним свойства транзистора и реле и попытаемся составить себе объективную картину. [29]
 |
Включение транзистора как двухполюсника. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5