Свойство - транзистор
Cтраница 3
Рассмотрим сначала свойства транзистора, включенного в качестве двухполюсника. [31]
Из-за специфичности свойств транзисторов наибольшее влияние на рабочие параметры транзисторных усилителей оказывает температура окружающей среды. Предлагаемая методика расчета учитывает эту особенность транзисторов. Для транзисторных усилителей, предназначенных для работы в широком диапазоне изменения температуры окружающей среды, принимается допущение о нормальном законе распределения не самого рабочего параметра усилителя ( например, коэффициента усиления усилителя), а его минимального и максимального граничных значений. В зависимости от условий эксплуатации, по которым рассчитываются параметры вероятности их распределения - математическое ожидание и среднеквадратическое отклонение. В статье дана методика определения диапазона изменения минимального и максимального граничных значений коэффициента усиления усилителя. [32]
Для оценки свойств транзистора, связанных с сопротивлением базы и емкостью коллекторного перехода Ск, введен параметр транзистора - постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте тк г Ск. У транзисторов, предназначенных для работы на частотах более 30 МГц, значение постоянной времени лежит в пределах от десятых долей наносекунды до нескольких наносекунд. Емкость Ск обычно не превышает нескольких пикофарад. [33]
 |
Входные ( а и выходные ( б характеристики кремниевого п-р-п-транзистора КТ603 в схеме ОБ. [34] |
Для описания свойств транзисторов используют входные и выходные семейства характеристик, представляющих собой зависимости входного тока / э или IQ от входного напряжения U и выходного тока / к от выходного напряжения UKQ или UK3 соответственно. Применяют также передаточные ( переходные) характеристики, связывающие токи на выходе с токами или напряжениями на входе. Вид характеристик зависит от схемы включения транзистора. [35]
 |
Полярность включения n - p - п-транзистора.| Полярность включения р-п-р-транзи - стора. [36] |
Для исследования свойств транзистора приложим входное напряжение UBE и измерим выходной ток 1С как функцию выходного напряжения UCE. [37]
Из-за специфичности свойств транзисторов наибольшее влияние на рабочие параметры транзисторных усилителей оказывает температура окружающей среды. Предлагаемая методика расчета учитывает эту особенность транзисторов. Для транзисторных усилителей, предназначенных для работы в широком диапазоне изменения температуры окружающей среды, принимается допущение о нормальном законе распределения не самого рабочего параметра усилителя ( например, коэффициента усиления усилителя), а его минимального и максимального граничных значений. В зависимости от условий эксплуатации, по которым рассчитываются параметры вероятности их распределения - математическое ожидание и среднеквадратическое отклонение. В статье дана методика определения диапазона изменения минимального и максимального граничных значений коэффициента усиления усилителя. [38]
Ввиду идентичности свойств нолевого транзистора и лампы и аналогичности его статических выходных характеристик характеристикам экранированной лампы эквивалентные схемы входных и выходных цепей, приведенные на рис. 4.16, применимы и к полевым транзисторам как с р-п-переходом, так и с изолированным затвором. [39]
Однако из-за низкочастотных свойств транзисторов средней и особенно большой мощности с помощью блокинг-генераторов не удается получить импульсы с малой длительностью и с большой крутизной фронтов. В ждущем режиме блокинг-генераторы генерируют импульсы с большой временной задержкой. Трансформаторные мультивибраторы или так называемые двухтактные блокинг-генераторы не дозволяют получить прямоугольные колебания с высокой частотой и крутыми перепадами. Импульсы сравнительно большой мощности длительностью в несколько микросекунд и с крутыми фронтами необходимы в вычислительной технике, а прямоугольные колебания - в автоматике и особенно в преобразователях низкого постоянного напряжения в высокое постоянное. [40]
Известно, что свойства транзисторов сильно зависят от температуры. Стабильность увеличивается во столько же раз, во сколько уменьшается усиление. Аналогично можно уменьшить и разброс характеристик разных транзисторов, приводя их усиление к заданной величине, что важно для балансировки несущего тока в балансных схемах модуляторов. [41]
 |
Конструкции полевых транзисторов с управляющим переходом.| Конструкции МДП транзисторов. [42] |
Сильное влияние на свойства МДП транзисторов оказывает качество стабилизации поверхности полупроводника, поскольку именно на ней располагается активная часть структуры этих приборов. Трудности тщательного контролирования поверхностных свойств полупроводника обусловливают больший разброс и худшую стабильность характеристик МДП транзисторов по сравнению с полевыми транзисторами, у которых в роли затвора используется р-п переход. Обычно МДП транзисторам присуща более сильная температурная зависимость тока стока, значительно больший уровень собственных румов, в особенности составляющей 1 / Д которая преобладает вплоть до частот в единицы мегагерц. Кроме того, у МДП транзисторов, в особенности с индуцированным каналом, часто наблюдается пониженная стабильность параметров во времени. [43]
Каждый способ описания свойств транзистора как четырехполюсника в выбранной системе параметров имеет свои преимущества и недостатки. Это следует учитывать при расчете системы нескольких четырехполюсников, соединенных друг с другом по последовательной, параллельной или смешанной схеме. Если два четырехполюсника соединяются последовательно, то при расчетах удобнее пользоваться Z-параметрами ( сопротивлениями), при параллельном соединении - У-параметрами ( проводимостями), а при смешанном соединении - / i-параметрами. [44]
 |
Схема замещения транзистора при включении по схеме с общей базой. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5