Cтраница 4
Что касается описания свойств транзисторов на переменном токе с помощью схемы замещения, то в этом направлении имеется целый ряд предложений. [46]
![]() |
Транзисторные усилители с высокочастотной коррекцией. [47] |
Достаточно строгий учет частотно-зависимых свойств транзисторов приводит к громоздким выражениям и осложняет создание удобных инженерных методов расчета транзисторных усилителей с высокочастотной коррекцией. Поэтому здесь рассматриваются только простейшие приемы высокочастотной коррекции и приводятся приближенные соотношения для определения параметров корректирующих элементов в расчете на окончательную доводку схемы экспериментальным путем. Такой подход тем более оправдан, что известный разброс параметров транзисторов все равно мешает получению точных расчетных данных и требует экспериментальной настройки схемы. [48]
![]() |
Временные диаграммы тока коллектора и базы транзисторного ключа.| Эквивалентная схема транзистора. [49] |
Время включения характеризуется свойствами транзистора в активной области. [50]
Однако если воспользоваться свойством транзистора проводить большой ток при малом падении напряжения на нем, то можно создать схемы усиления, обладающие высоким к. [51]
Однако если воспользоваться свойством транзистора проводить большой ток при малом падении напряжения на нем, то можно создать схемы усиления, обладающие высоким КПД. Действительно, при достаточно большом токе базы ( 76 / 64) рабочей точкой транзистора будет точка D ( рис. 22 - 7, б), где ток коллектора близок к максимальному / ктах) а напряжение на транзисторе незначительно. Следовательно, в этом режиме потери в транзисторе малы, хотя в нагрузке и выделяется большая мощность. [52]
![]() |
Схема включения с общим эмиттером ( а и характеристики ( б транзистора.| Диаграмма токов усилителя, работающего в режиме переключения. [53] |
Однако если воспользоваться свойством транзистора проводить большой ток при малом падении напряжения на нем, то можно создать схемы усиления, обладающие высоким КПД. [54]
В этой схеме используют свойства транзистора Т как усилителя тока. [55]
Однако наиболее полно использовать свойства транзисторов и диодов можно только при знании конструктором физических свойств полупроводниковых приборов, их параметров, характеристик и эксплуатационных особенностей. [56]
![]() |
Схематическое изображение основных конструкций плоскостных транзисторов. [57] |
Четыре взаимосвязанные величины характеризуют свойства транзистора и его режим работы в любой схеме. Этими величинами являются: ток эмиттера, напряжение между эмиттером и базой, ток коллектора и напряжение между коллектором и базой. Если две из этих величин заданы, то можно определить две другие величины. [58]
Чем выше частотные - свойства транзистора, тем выше его быстродействие и тем лучше он работает в ключевом режиме. [59]
![]() |
Типовые совмещенные характеристики транзистора при включении по схеме ОЭ. [60] |