Частотное свойство - транзистор
Cтраница 1
Частотные свойства транзистора определяются временем диффузии носителей через область базы ( та), барьерной ( Ск) и диффузионной ( Сэд) емкостями. [1]
Частотные свойства транзистора характеризует граничная частота / ( для схемы с общей базой) - такая частота, на которой коэффициент усиления по току ос уменьшается в 1 / 2 раз. [2]
Частотные свойства транзистора, включенного по схеме ОЭ, в активном режиме определяются в основном инерционностью процесса распространения подвижных носителей в базе и влиянием барьерной емкости коллекторного перехода в результате взаимодействия ее с сопротивлением в коллекторной цепи транзистора. [3]
Частотные свойства транзистора определяются в основном двумя факторами. Во-первых, сравнительно медленное диффузионное перемещение неосновных носителей через базу и связанное с этим относительно большое время пролета приводят к задержке коллекторного тока относительно эмиттерного и, следовательно, к ухудшению частотных свойств транзистора. [4]
Частотными свойствами транзистора учитывается тот факт, что транзистор способен усиливать электрические сигналы с частотой, не превышающей определенного для каждого транзистора предела. Частоту, на которой транзистор теряет свои усилительные свойства, называют предельной частотой усиления транзистора. [5]
 |
Векторные диаграммы токов транзистора на разных частотах. [6] |
На частотные свойства транзисторов большое влияние оказывают емкости р-п переходов. С увеличением частоты емкостное сопротивление уменьшается и шунтирующее действие емкостей возрастает. Поэтому Т - образная эквивалентная схема транзистора на высоких частотах, кроме чисто активных сопротивлений гэ, ГБ и гк, содержит емкости Сэ и GK, шунтирующие эмиттерный и коллекторный переходы. [7]
Оценивая частотные свойства транзистора, следует учитывать также, что диффузия - процесс хаотический. Неосновные носители зарядов, инжектированные эмиттером в базу, передвигаются в ней разными путями. Поэтому носители, одновременно вошедшие в область базы, достигают коллекторного перехода в разное время. Таким образом, закон изменения тока коллектора может не соответствовать закону изменения тока эмиттера, что приводит к искажению усиливаемого сигнала. [8]
На частотные свойства транзисторов большое влияние оказывают междуэлектродные емкости и время перемещения носителей через область базы. В транзисторе под междуэлектродными емкостями понимают емкости эмиттерного и коллекторного переходов. [9]
 |
Структура эпитаксиального ( а и пленарного ( б транзисторов. [10] |
На частотные свойства транзисторов оказывают влияние емкости электронно-дырочных переходов. Диффузионная емкость эмиттерного перехода достигает у некоторых транзисторов сотен пикофарад, барьерная емкость коллекторного перехода составляет 1 0 н - 50 пф. [11]
Определяются необходимые частотные свойства транзисторов. [12]
С частотными свойствами транзистора связаны его переходные характеристики, описывающие изменение выходного сигнала при воздействии импульса тока во входной цепи. [13]
Чтобы охарактеризовать частотные свойства транзистора, широко используются частотные характеристики, представляющие собой зависимость модуля коэффициента передачи а от частоты ( амплитудно-частотная характеристика) и фазы фа ( фазочастотная характеристика) от частоты. Из характеристик ( рис. 6.12), построенных в нормированных координатах со / ва и а / а0, видно, что с увеличением со увеличивается сдвиг по фазе ф, обусловленный влиянием инерционных процессов при прохождении неосновных носителей через базу, и, в конечном счете, уменьшается коэффициент а. В схеме с ОЭ величина коэффициента передачи тока базы В в более сильной степени зависит от частоты, что приводит к уменьшению граничной частоты в схеме с ОЭ. [14]
 |
Числовая маркировка биполярных транзисторов. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5