Частотное свойство - транзистор
Cтраница 2
Прежде всего оценивают частотные свойства транзистора по величине предельной частоты крутизны fs, на которой yzi ( в схеме с общим эмиттером) уменьшается по сравнению со своим низкочастотным значением в У 2 раз. Уменьшение t / zi приводит к падению усиления. [16]
Сильное влияние на частотные свойства транзисторов оказывает объемное сопротивление базы, которое определяется геометрическими размерами базы и концентрацией примесей в ней. [17]
Для схемы ОБ частотные свойства транзистора обычно представляются граничной частотой усиления / а. На рис. 2.19 приведена частотная характеристика коэффициента усиления а. [18]
 |
Источник тока с.| Источник тока. [19] |
Иногда необходимо учитывать частотные свойства транзисторов, например в ОУ с боковыми р-п - р транзисторами. [20]
При этом на частотные свойства транзисторов не накладываются жесткие требования. Обычно постоянная времени цепи разряда конденсатора ( СО меньше постоянной цепи заряда, что позволяет отводить на передний фронт импульса t ф до ( 0 3 - 0 5) / и и выбирать транзисторы с относительно большим та - Но следует заметить, что увеличение приводит к росту необходимой величины тактирующего напряжения п потребляемой мощности. [21]
В ряде случаев частотные свойства транзистора характеризуются частотой / т, на которой модуль величины В становится равным единице. [22]
Параметры, характеризующие переходные и частотные свойства транзистора, будут определены в следующем параграфе. [23]
 |
Конструкция маломощного транзистора.| Конструкция мощного транзистора. [24] |
Это позволяет значительно улучшить частотные свойства транзистора. Кроме того, технология производства диффузионных транзисторов предусматривает плавное изменение концентрации примесей от эмиттерного перехода к выводу коллектора, вследствие чего электрическое поле коллектора распространяется и на область базы. [25]
 |
Конструкция маломощного транзистора.| Конструкция мощного транзистора. [26] |
Это позволяет значительно улучшить частотные свойства транзистора. Кроме того, технология производства транзисторов методом диффузии предусматривает плавное изменение концентрации примесей от эмиттерного перекода к выводу коллектора, вследствие чего электрическое поле коллектора частично распространяется и на область базы. В результате действия этого ускоряющего поля время движения неосновных носителей зарядов через базу к коллектору уменьшается, что также позволяет расширить частотный диапазон прибора. Диффузионный метод получения р-п переходов, имеющий много технологических разновидностей, позволяет создавать различные типы транзисторов на рабочие частоты до I ГГц и более. [27]
При уменьшении толщины базы частотные свойства транзистора улучшаются. [28]
Какие факторы влияют на частотные свойства транзисторов. [29]
 |
Эквивалентная схема усилительного каскада на транзисторе с ОБ для высоких частот. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5