Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Настоящий менеджер - это такой, который если уж послал тебя... к чертовой бабушке, то обязательно проследит, чтобы ты добрался по назначению. Законы Мерфи (еще...)

Частотное свойство - транзистор

Cтраница 3

При уменьшении толщины базы частотные свойства транзистора улучшаются.  [31]

Все это приводит к посредственным частотным свойствам горизонтального транзистора: его граничная частота не превышает обычно нескольких десятков мегагерц.  [32]

Блок-схема измерения напряжений насыщения в импульсном режиме.  [33]

Необходимая степень запаздывания определяется частотными свойствами транзистора и может составлять величину до 100 мксек.  [34]

Схемы логических расширителей DTL-схем.| DrL-схема со свободным коллектором.  [35]

Режим насыщения не позволяет использовать высокие частотные свойства транзисторов в интегральной схеме, так как основная задержка передачи информации определяется временем рассасывания заряда при выключении насыщенного транзистора.  [36]

Однако же уменьшение t3an ограничивается частотными свойствами транзисторов. В то же время увеличение емкости ускоряющих конденсаторов является нежелательным, так как при этом увеличивается длительность фронтов импульсов ( уменьшается их крутизна) и тем самым уменьшается быстродействие триггера.  [37]

Максимальная частота генерации наиболее удачно характеризует частотные свойства транзистора, так как определяет диапазон частот, в котором транзистор остается активным элементом электрической схемы.  [38]

Форма коллекторного тока для низких ( а и высоких ( б частот сигнала.  [39]

Поскольку Dp является характеристикой материала, частотные свойства транзистора в схеме ОБ зависят в основном от ширины базы.  [40]

Зависимость коэффициента прямой передачи по току транзистора, включенного по схеме с ОБ от частоты.| Зависимость коэффициента прямой передачи по току транзистора, включенного по схеме с ОЭ от частоты.  [41]

Из этого примера видно, что частотные свойства транзистора в схеме с ОЭ хуже. Предельная частота в схеме с ОЭ примерно в / 121Э раз ниже, чем в схеме с ОБ.  [42]

Влияние емкостей Сэ и Ск на частотные свойства транзистора все сильнее ощущается с ростом частоты, когда уменьшающееся емкостное сопротивление перехода становится соизмеримым с его активным сопротивлением.  [43]

Схема каскада УРЧ с трансформаторной связью с транзистором и автотрансформаторной связью с последующим каскадом.| Схема каскада УРЧ с двойной автотрансформаторной связью.  [44]

При широкой полосе пропускания необходимо учитывать частотные свойства транзистора в полосе пропускания. Резонансная кривая приобретает некоторую асимметрию, и ее максимум сдвигается от точки резонанса в сторону более низких частот.  [45]

Страницы:      1    2    3    4    5