Частотное свойство - транзистор
Cтраница 5
 |
Вид сверху структуры интегрального эпитаксиально-планарного транзистора с одним ( а и двумя ( б базовыми вы. [61] |
Увеличение площади базы использование второго вывода позволяют уменьшить распределенное сопротивление базовой области и, следовательно, улучшить частотные свойства транзистора. Базовые выводы выполняют в виде металлизированных прямоугольных полосок. Изолирующий р-п-переход ( переход подложка - коллектор) полностью ограничивает внутреннюю структуру транзистора. Между этим переходом и границей базовой области формируется металлизированный вывод коллектора. [62]
Страницы: 1 2 3 4 5