Запрещенная зона

Cтраница 1

Запрещенная зона - область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике. [1]

Запрещенные зоны могут разделять разрешенные или вообще отсутствовать, если разрешенные зоны перекрывают друг друга. На рис. 43.6 нижняя разрешенная зона перекрывается верхней разрешенной зоной. [2]

Расщепление энергетических [ IMAGE ] Энергетические зоны твердого.| Структура энергетических зон.| Зонная структура при Г0 К. [3]

Запрещенные зоны соответствуют значениям; энергии, которыми электрон не может обладать Б: идеальном кристалле. С ростом энергии ширина разрешенных зон увеличивается, а запрещенных зон - уменьшается. В твердом теле разрешенные энергетические зоны могут быть в различной степени заполнены электронами. Разрешенная зона 1, в которой при температуре - 273 С и отсутствии внешних воздействий все энергетические уровни заняты электронами, называется заполненной зоной. Верхняя заполненная зона называется валентной, так как она заполняется валентными электронами, которые участвуют-в химических реакциях и не могут участвовать в процессе электропроводности. Разрешенная зона, в которой при температуре-абсолютного нуля энергетические уровни остаются не занятыми; электронами, называется свободной. [4]

Запрещенные зоны оставлены белыми. На рис. 3 - 2 приведены верхние части энергетических диаграмм разных по электрическим свойствам веществ, причем через s обозначены валентные зоны, а через р - зоны проводимости. [5]

Энергетическая модель люминофора ( например, кристалла. [6]

Запрещенная зона Нет энергетически уровней. [7]

Возникновение энергетических зон в кремнии ( а и зонная структура кремния ( б. [8]

Запрещенная зона является важнейшей характеристикой кристаллического вещества. [9]

Запрещенная зона Валентная занх. [10]

Энергетические зоны твердо - получается непрерывный спектр го тела. Заштрихованы - разре - энергий, которые может иметь шенные зоны, не заштрихованы - за - электрон. Ширина же запре-прещешше зоны щенных зон варьирует в боль. [11]

Запрещенная зона является важнейшим параметром исходного полупроводника, в большой мере определяющим его электрические свойства. [12]

Запрещенная зона Е3 для различных тел различна. [13]

Связь ширины за. [14]

Запрещенная зона в простых веществах IV группы уменьшается с ростом заряда ядра. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5