Запрещенная зона

Cтраница 2

Запрещенная зона в простых веществах IV группы уменьшается с ростом заряда ядра. В соединениях AlllBv ширина запрещенной зоны также уменьшается с ростом среднего заряда ядра, что изображено на рис. 43, а. Из рисунка видно, что ширина запрещенной зоны соединений A1UBV со средним зарядом ядра, равным заряду ядра элементов IV группы, примерно в два раза больше ширины запрещенной зоны соответствующего простого вещества. [16]

Возникновение энергетических зон в кремнии ( о и зонная структура кремния ( (.. [17]

Запрещенная зона является важнейшей характеристикой кристаллического вещества. [18]

Запрещенная зона примесных полупроводников такова ( Ge-076 эВ, Si-112 эВ), что при нормальной температуре их проводимость ничтожно мала. Это свойство изменяется при появлении дефектов кристаллической решетки, вызванных, например, небольшими примесями ( около 1 атома на 10е атомов полупроводника) пятивалентных ( донорные примеси Р, Sb, As и др.) или трехвалентных ( акцепторные примеси В, А1, Ga, In) элементов. Примеси приводят к образованию новых энергетических уровней, облегчающих прохождение электрического тока. [19]

Если запрещенная зона отсутствует, то твердое тело обладает металлическими свойствами. В таком теле нужна ничтожная энергия, чтобы электроны могли перейти на свободные уровни зоны проводимости. Поэтому металлы обладают высокой электропроводностью. [20]

Если запрещенная зона узкая ( меньше 1 эв; для германия, например, она равна 0 75 эв), то при повышении температуры некоторые электроны приобретают энергию, достаточную для того, чтобы покинуть валентную зону, и кристалл становится проводником. Это истинные или беспримесные полупроводники. [21]

Если запрещенная зона энергий, разделяющая заполненную зону W и полностью пустую зону L, достаточно мала, то при низких температурах кристалл будет изолятором, а при высоких - полупроводником. [22]

Если запрещенная зона бинарного соединения MX, подобного сульфиду цинка, не очень широка, то уровень VM может оказаться настолько близко к зоне проводимости, что при температуре получения люминофора вакансия Ум7 будет сильно ионизоваться, превращаясь в VM, а это означает, что часть электронов, потерянных атомами хлора, останется в зоне проводимости. Именно так обстоит дело у CdS-Cl - фосфоров [7, 59] ( см. гл. [23]

Ширина запрещенной зоны в кремнии не позволяет получать на его основе приборы и схемы, способные работать при температурах выше 200 С, что резко снижает перспективы его использования сейчас и тем более в перспективе. Для этого нужны материалы с существенно большей шириной запрещенной зоны. [24]

Движение электрона в решетке кристалла.| Изменение удельного электросопротивления меди и сплавов при нагреве. [25]

Ширина запрещенной зоны определяет электрическую проводимость полупроводников. Для химически чистого германия ширина запрещенной зоны равна 1 2 - 10 - 19 Дж. В алмазе она столь велика, что по электрической проводимости он близок к диэлектрикам. Серое олово по электрической проводимости близко к металлам, так как запрещенная зона мала. Дефекты и примеси уменьшают ширину запрещенной зоны и изменяют число электронов проводимости. [26]

Ширина запрещенной зоны Д U, в свою очередь, связана функциональными зависимостями с другими свойствами твердого тела. Она растет с ростом степени ионности связи в полупроводнике. [27]

Зависимость ширины запрещенной зоны устойчивых окислов от положения металлов, их образующих, в периодической системе. [28]

Ширина запрещенной зоны экспериментально измеряется различными методами. [29]

Относительное расположение слоев атомов Zn и S на гранях куба ( а, ромбододекаэдра ( б и октаэдра ( в в кристалле ZnS со структурой сфалерита. Расстояния между слоями указаны в долях ребра элементарного куба. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5