Запрещенная зона

Cтраница 4

Ширина запрещенной зоны является одним из важнейших параметров полупроводникового материала и во многом определяет его свойства. [46]

ДЕо-ширина запрещенной зоны; Т - абсолютная температура; k - постоянная Больцмана. [47]

Ширина запрещенной зоны в a - Si: H ( около 1 8эВ) больше, чем в a - Si ( 1 4эВ), но спектр по-прежнему сдвинут в красную область по сравнению с c - Si, и поэтому достаточно тонкие пленки ( 1 мкм) все еще могут поглощать значительную часть солнечного спектра. [48]

Ширина запрещенной зоны в полупроводнике Eg, донорный и акцепторный уровни отстоят, от нижнего края зоны проводимости на величины Ег и Е2 соответственно. Определить химический потенциал для этого полупроводника, если электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне подчиняются классической статистике. [49]

Ширина запрещенной зоны, по данным измерения электропроводности соединения, равна 0 5 эв. [50]

Энергетические зо-i ны полупроводника. [51]

Ширина запрещенной зоны изменяется с изменением температуры. С повышением температуры в первом случае ширина запрещенной зоны уменьшается, во втором случае может быть как уменьшение, так и увеличение ширины запрещенной зоны. У большинства полупроводников ширина запрещенной зоны с повышением температуры уменьшается. [52]

Отсутствие запрещенной зоны между валентной зоной и зоной проводимости характерно для металлов и их сплавов. [53]

Зонная структура собственного полупроводника. а - невозбужденное состояние. б - частично возбужденное состояние. [54]

Ширина запрещенной зоны у чистых веществ колеблется от долей электрон-вольта до 10 - 15 эв. Еслл ширина запрещенной зоны невелика ( не более 2 - 3 эв), то под действием теплового или светового возбуждения электроны заполненной зоны могут перебрасываться в пустую зону, где они уже могут участвовать в проводимости. Такие вещества называются полупроводниками. Таким образом, ширина запрещенной зоны представляет собой условный предел разделения веществ на полупроводники и изоляторы. [55]

Ширина запрещенной зоны определяет разделение твердых тел на проводники, полупроводники и диэлектрики. [56]

Ширина запрещенной зоны и концентрация носителей тока снижаются с возрастанием температуры обработки. Подвижность носителей тока увеличивается с повышением температуры. Для гомогенно графитирующихся веществ подвижность резко увеличивается ( от 10 до 50 см2 / сек-в) на стадии собственно графитации. [57]

Ширина запрещенной зоны является одной из основных характеристик полупроводника, знание которой дает возможность управлять его свойствами. [58]

Ширина запрещенной зоны, по данным измерения электропроводности соединения, равна 0 5 эв. [59]

Спектр поглощения кремния, легированного мышьяком по данным.| Зависимость коэффициента поглощения квантов света с энергией 1 0 эв от концентрации электронов в n - Si. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5