Запрещенная зона

Cтраница 3

Ширина запрещенной зоны зависит также от размеров кристаллика [110], примесей, давления, температуры, однако эти изменения, как правило, невелики, особенно если рассматривать их с точки зрения влияния U на каталитическую активность. [31]

Ширина запрещенной зоны является основным параметром, который определяет электрические свойства твердого тела. [32]

Ширина запрещенной зоны увеличивается с ростом разности электроотрицательностей Ах. Поэтому последняя, как было показано, в ряде случаев также является удобным критерием подбора катализаторов, несмотря на всю неточность понятия электроотрицательности. Однако ширина запрещенной зоны и разность электроотрицательностей не являются критериями взаимозаменяемыми. Это вытекает хотя бы из того, что в одних реакциях, наряду с полупроводниками, активными катализаторами являются твердые кислоты, а в других - твердые основания. И твердые кислоты и твердые основания могут иметь большие значения U, но первые из них имеют малые Ах, а вторые - большие Ах. [33]

Ширина запрещенной зоны в твердых телах колеблется от 0 до 8 эв. [34]

Зависимость удельного со - типа проводимости Zn3As2, который всегда остается полупроводником р-типа. [35]

Ширина запрещенной зоны ( в эв), определенная по температурной зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления в области собственной проводимости, составляет А. [36]

Зависимость удельного сопротивления р, коэффициента Холла RH и подвижности электронов ця от температуры для Cd3As2. [37]

Ширина запрещенной зоны для Cd3As2 была определена несколькими авторами различными методами. [38]

Ширцна запрещенной зоны характеризует энергетический зазор между нижайшей точкой зоны проводимости и наивысшей точкой валентной зоны. [39]

Энергетическая диаграмма полупроводника при наличии в нем электрического поля напряженностью Е и разности потенциалов между точками / и 2, равной ф 2. [40]

Ширина запрещенной зоны изменяется с изменением температуры. С повышением температуры в первом случае ширина запрещенной зоны уменьшается, во втором случае может быть как уменьшение, так и увеличение ширины запрещенной зоны. У большинства полупроводников ширина запрещенной зоны с повышением температуры уменьшается. [41]

Ширину запрещенной зоны можно определить по резонансной энергии, приведенной в табл. 12.4. Из таблицы видно, что эта энергия несколько меньше энергии ионизации свободного атома. [42]

Ширина запрещенной зоны в электронном спектре ионных кристаллов равна энергии, необходимой для перемещения электрона с отрицательного на положительный ион, а не энергии ионизации, как это было в инертных газах, Тем не менее ГТантелидес установил, что ширина запрещенной зоны в ионных кристаллах меняется приблизительно как rf - 2 для любой разности валентностей, как в случае инертных газов. Межатомные матричные элементы, как видно по ширине р-зоны отрицательных ионов, имеют такую же точно зависимость. Оптическое поглощение определяется шириной запрещенной зоны и соответствующими межионными матричными элементами. Поэтому основной вклад в диэлектрическую восприимчивость дают силы осцилляторов межионных переходов, и традиционная картина независимо поляризующихся ионов непригодна для описания ионных кристаллов. Теория же диэлектрической проницаемости Пантелидеса, в которой предполагается - зависимость для ширины запрещенной зоны, дает верное описание и содержит меньше параметров. Хотя зонная структура ионных кристаллов довольно проста, их электронные свойства весьма сложны из-за наличия типичных для этих кристаллов экситонных и поляронных эффектов, а также явления самозахвата. [43]

Заполнение 3d - и 4-уровней. [44]

Ширина запрещенной зоны зависит от величины электроотрицательности составляющих вещество атомов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5