Электрон-фононное взаимодействие
Cтраница 2
В случае поверхностных волн электрон-фононное взаимодействие возникает вследствие проникания электрического поля, связанного с ультразвуковой волной, вглубь проводника. Поле затухает вследствие экранирующего действия электронов. В пограничном слое возникают круговые токи. Акустоэдс проявляется как разность потенциалов между поверхностью полупроводника и его глубинными слоями. [16]
Решеточная компонента теплопроводности и электрон-фононное взаимодействие. [17]
А - безразмерная константа электрон-фононного взаимодействия, являющаяся характеристикой металла. [18]
Принципиальным отличием от случая электрон-фононного взаимодействия [ см. (3.16) ] является невозможность пренебречь в (3.30) слагаемым, описывающим приход электронов pp q, В силу упругости взаимодействия ( wq 0) это слагаемое вносит сравнимый вклад, что приводит к интересным особенностям, рассмотренным ниже. [19]
Структура выражения (64.2) для оператора электрон-фононного взаимодействия аналогична структуре оператора электрон-фотонного взаимодействия в квантовой электродинамике. В связи с этим аналогичны и правила диаграммной техники в обоих случаях. [20]
 |
Колебательный спектр калия, рассчитанный Ашкрофтом о использованием псевдопотенциала пустых остовов ( 15 1 ( 3 и значения rc l 13 A i ( вместо значения 1 20 А из. Экспериментальные точки. [21] |
Прежде чем перейти к обсуждению электрон-фононного взаимодействия, мы должны обсудить два свойства колебательных спектров. Нам нужно знать зависимость частот от волнового вектора в длинноволновой области ( 7 0), В точке 7о 0 вклады сателлитов и в зонную энергию, и в электростатическую энергию расходятся. [22]
Если Ttot много больше времени электрон-фононного взаимодействия, то достижение квазитермического равновесия для электронов и дырок может происходить отдельно от фононов. [23]
 |
Температурные зависимости сопротивления нормального ( N. [24] |
Любопытно отметить, что роль электрон-фононного взаимодействия можно менее определенно, чем по изотопическому эффекту, но все же усмотреть и при сравнении температурных зависимостей металлов, один из которых ниже точки перехода становится сверхпроводником, а другой нет. [25]
Работа [777] также посвящена вопросам электрон-фононного взаимодействия. Имеется также целый ряд теоретических работ, посвященных эффектам электрон-электронного взаимодействия. [27]
Идеальное тепловое сопротивление, определяемое электрон-фононными взаимодействиями. [28]
 |
Схематическая зависимость смещения uz и электростатического потенциала ф от z для для квантованных мод LOm ( га от 1 до 4 с kx y 0 в полярной сверхрешетке с. [29] |
В этом случае в объемных материалах электрон-фононное взаимодействие обусловлено дальнодейству-ющим характером кулоновского взаимодействия. Соответствующая сингулярность типа q 1 была устранена вследствие суммарного воздействия LO фонона на зону проводимости и валентную зону. Эти воздействия равны и должны вычитаться друг из друга. При рассеянии назад, когда свет распространяется в плоскости структуры ( свет падает на край МКЯ), подобный эффект также должен существовать: рамановский тензор пропорционален разности обратных масс электрона и дырки, которая не исчезает даже в случае большого периода. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5