Электрон-фононное взаимодействие

Cтраница 3

Бардина - Пайнса в ст, Электрон-фононное взаимодействие, с заменой величин V ( q), ( a ( q) и - 4, на их перенормированные ( в указанном выше смысле) значения. [31]

Среди многих характеристик, связанных с электрон-фононным взаимодействием, особый интерес представляет низкотемпературная теплоемкость, в частности ее электронный и дебаевский члены. В настоящей монографии впервые обобщены данные по низкотемпературным теплоемкостям карбидов и нитридов. Обсуждение электронной теплоемкости перенесено в последнюю главу. Для карбидов и нитридов дебаевская температура является малопонятным параметром; тем не менее ее часто используют для оценок таких термодинамических величин, как стандартные энтропии и энтальпии. Проблемы, связанные с этими оценками, детально обсуждаются в надежде на то, что это поможет обратить внимание на некоторые неправильные представления. [32]

Зависимость частот нормальных колебании от волнового вектора.| Температурная зависимость. [33]

Для оценки возможного влияния на энгармонизм решетки электрон-фононного взаимодействия из литературных данных по влиянию легирования донорными примесями на упругие постоянные 3-го порядка [6] и тепловое расширение [7] были рассчитаны у - для различных колебательных мод. Расчет показал, что коэффициенты Грюнайзена для низко - и высокочастотных мод могут существенно изменяться при легировании. [34]

Величины 5у включают квадраты матричных элементов оператора электрон-фононного взаимодействия, который был получен в точечно-ионной модели теории кристаллического поля. [35]

Предполагается, что указанный эффект обусловлен снижением электрон-фононного взаимодействия для небольших частиц. [36]

Удельное сопротивление.| Зависимость удельного.| Зависимость критической плотности тока от. индукции магнитного поля при 4 2 К. [37]

Электроны проводимости металла объединяются в пары благодаря электрон-фононному взаимодействию, вследствие чего сверхпроводимость оказывается чувствительной к свойствам кристаллической решетки. [38]

Такая ситуация принципиально отличается от ситуации при электрон-фононном взаимодействии [ см. (6.31) ], где Е ( cM / cty) ph всегда положительна. [39]

Данное состояние активаторпого иона может быть связано посредством электрон-фононного взаимодействия с большим количеством уровней, отдаленных от него различными энергетическими зазорами. Поэтому разобраться в том, за счет каких взаимодействий происходит его смещение, довольно трудно. [40]

Основная же доля поглощенной энергии передается решетке при электрон-фононных взаимодействиях и при безызлучательной электронно-дырочной рекомбинации. Время энергообмена между поглотившей световую энергию электронной подсистемой и фононной уменьшается по мере увеличения концентрации фотовозбужденной плазмы. Однако при достижении критических концентраций неравновесных носителей процессы электронно-дырочной рекомбинации и рассеяния носителей на фоно-нах могут существенно экранироваться. Таким образом, существует ограничение снизу на время, за которое можно существенно нагреть полупроводник при безызлучательной рекомбинации. Соответственно эта конечная задержка при передаче энергии от носителей к решетке препятствует возбуждению мощных пикосекундных акустических импульсов за счет термоупругого механизма. [41]

Для этих диаграмм двухзонные члены содержат внутризонные матричные элементы электрон-фононного взаимодействия, в то время как трехзонные члены связаны с междузонными матричными элементами. Промежуточные электронные переходы кристалла, которые содержатся в этих членах, схематически представлены па диаграммах фиг. Мы рассмотрим вклады от этих членов в тензоры комбинационного рассеяния. [42]

Как уже говорилось, первое приближение теории возмущения при учете электрон-фононного взаимодействия описывает излучение и поглощение фонона электроном. Второе приближение можно трактовать как взаимодействие электронов друг с другом с помощью фононов. [43]

Интеграл столкновений в (3.11) состоит из двух слагаемых, обусловленных электрон-фононным взаимодействием [ ср. [44]

Во-вторых, с увеличением температуры растет интенсивность колебаний решетки и увеличивается электрон-фононное взаимодействие, приводящее к смещению потолка валентной зоны и дна зоны проводимости. Расчеты показывают [262], что это дает основной вклад в температурную зависимость запрещенной зоны. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5