Электрон-фононное взаимодействие

Cтраница 4

В рамках квазистатического приближения предполагается, что фонолы действуют ( через электрон-фононные взаимодействия) подобно статическим возмущениям электронной зонной структуры кристалла. [46]

Сверхпроводящее состояние возникает только в таких металлах, для которых энергия электрон-фононного взаимодействия достаточно велика. С другой стороны, чем больше электрон-фо-нонное взаимодействие, тем больше сопротивление металла в-нормальном состоянии, так как при этом велика вероятность рассеяния электронов с испусканием и поглощением фононов. Этим качественно объясняется известный факт, что хорошие проводники ( серебро, медь, золото) не переходят в сверхпроводящее состояние. [47]

Сверхпроводящее состояние возникает только в таких металлах, для которых энергия электрон-фононного взаимодействия достаточно велика. С другой стороны, чем больше электрон-фо-нонное взаимодействие, тем больше сопротивление металла в нормальном состоянии, так как при этом велика вероятность рассеяния электронов с испусканием и поглощением фононов. Этим качественно объясняется известный факт, что хорошие проводники ( серебро, медь, золото) не переходят в сверхпроводящее состояние. Сильное электро н-фононное взаимодействие приводящее к большому сопротивлению в нормальном состоянии, способствует образованию сверхпроводящего состояния, лишенного сопротивления. [48]

Теория полярона малого радиуса описывает движение электрона в узкой зоне при сильном электрон-фононном взаимодействии. Однако, как следует из данных, полученных в лаборатории, и литературных данных, переходные ионы не всегда меняют свою валентность. [49]

В металле фононы наряду с электронами участвуют в переносе тепла, поэтому электрон-фононные взаимодействия ограничивают как электронную, так и фононную теплопроводности. Рассеяние фононов на электронах в широком интервале температур, является основным фактором, определяющим решеточную теплопроводность металла. [50]

Зависимость пробивного напряжения t / np от времени экспозиции т для тонких пленок алунда ( 70 мкм при Г1800 К. [51]

Величина электрического поля, при которой образуются электронные лавины, определяется особенностями электрон-фононного взаимодействия в том или ином кристалле. [52]

Зависимость величины энергетической щели таллия от температуры. [53]

В связи с тем, что притяжение между электронами в сверхпроводнике обусловлено электрон-фононным взаимодействием, при детальных исследованиях формы фононного спектра можно было ожидать обнаружения некоторых особенностей. Джавер и др. [123] впервые указали, что структура кривых зависимости относительной проводимости от энергии в туннельных переходах нормальный металл - свинец, может быть связана с фо-нонным спектром свинца. Роуэлл и Чайновет [124] обнаружили периодическую структуру в распределении плотности состояний свинца, обусловленную гармониками поперечных акустических фононов. [54]

Переходы 1 и 3 происходят благодаря взаимодействию ЖА, а переход 2 содержит электрон-фононное взаимодействие 2t EL. [55]

А - энергия возбуждения примеси ( переход 0 - 1) при неучете электрон-фононного взаимодействия, Е7Х - коэффициенты, В выражении для Н в явном виде выписаны только линейные по Ьх, Ь члены электрон-фононного взаимодействия. В дальнейшем только такие члены и будут приниматься во внимание. [56]

В основе предлагаемой модели лежит предположение о более сильном по сравнению с объемом электрон-фононном взаимодействии захваченного электрона с локальными модами центра захвата. [57]

В настоящей главе мы также изучали различные способы воздействия фононов на электроны, т.е. электрон-фононные взаимодействия. Эти взаимодействия оказывают сильное влияние на оптические и транспортные свойства электронов в полупроводниках. Мы показали, каким образом длинноволновые акустические фононы могут с помощью своего поля деформации изменять энергии электронов. Эти взаимодействия могут описываться посредством деформационных потенциалов. Оптические фононы могут приводить к внутренней деформации, а их взаимодействия с электронами также могут быть описаны посредством деформационных потенциалов оптических фононов. В полярных полупроводниках длинноволновые фононы, как акустические, так и оптические, могут создавать электрические поля благодаря зарядам, связанным с движущимися ионами. Эти поля могут очень сильно взаимодействовать с электронами, приводя к пьезоэлектрическим электрон-фононным взаимодействиям для акустических фононов и фрелиховскому взаимодействию для оптических фононов. Электроны, находящиеся в экстремумах зон, расположенных вблизи границы или на границе зоны, могут рассеиваться из одной долины в другую эквивалентную долину с помощью междолинных электрон-фононных взаимодействий. [58]

Известно [714, 1120, 1121], что повышенная концентрация свободных носителей тока в кристалле может влиять вследствие электрон-фононного взаимодействия на упругие постоянные. Этот эффект может быть использован для измерения констант деформационного потенциала, а также т в системе ( 100) минимумов n - Ge. С этой целью в [1122] исследована температурная зависимость упругих постоянных я - Ge, сильно легированного Sb и относительно чистого Ge ( пе & 10й см 3) в интервале 300 Г 550 К. Оказалось, что величина е44 в чистом Ge при 300 К приблизительно на 2 % меньше, чем в легированном. [59]

При понижении температуры электрическое сопротивление металла уменьшается вследствие ослабления колебаний атомов решетки и уменьшения электрон-фононного взаимодействия. Скорость изменения сопротивления уменьшается при понижении температуры. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5