Диод - смещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Спонсор - это человек, которому расстаться с деньгами проще, чем объяснить, откуда они взялись. Законы Мерфи (еще...)

Диод - смещение

Cтраница 1


1 К выбору тока смещения в ячейке ДТЛ.| Ячейка ТТЛ. [1]

Диоды смещения в статическом режиме всегда проводят, так что в них накапливается заряд.  [2]

Диоды смещения Дсм ( см. рис. 7.6) должны обладать возможно меньшим током утечки, так как это способствует увеличению тока базы инвертора Т, а следовательно, повышению нагрузочной способности элемента, поэтому в ИМС, не легированных золотом, в качестве диодов смещения применяются диоды с закороченным коллектором. Недостатком диода с закороченным коллектором является малое время рассасывания, что приводит к быстрому запиранию диодов смещения.  [3]

Следовательно, диод смещения должен обладать большим напряжением отпирания, чем диод в цепи обратной связи.  [4]

Включаются три диода смещения R.  [5]

6 Триггер на интегральной схеме ДТЛ-типа фирмы Fairchild Semiconductor. [6]

Замена одного из диодов смещения транзистором с коллектором, подсоединенным к отводу входных резисторов ( R3, R4), позволяет повысить помехозащищенность схемы и увеличить разветвление триггера при данном усилении выходных транзисторов.  [7]

8 Модифицированные варианты интегральных ячеек ДТЛ.| Усовершенствованные варианты выходных цепей ячейки ДТЛ. [8]

Эмиттерный переход транзистора Г2 играет роль диода смещения, а вносимое им усиление по току увеличивает коэффициент разветвления и ( на некоторых этапах переходных процессов) быстродействие ячейки.  [9]

10 Эпюры напряжений в различных точках схемы. [10]

Ток через туннельный диод уменьшается, а через диод смещения увеличивается.  [11]

ДТЛ, так как в микросхеме ТТЛ исключены диоды смещения, из которых только один скомпенсирован коллекторным переходом МЭТ [ в ( 7 16) разность потенциалов коллектора и эмиттера МЭТ Цон.  [12]

Быстродействие инвертора Т можно повысить, используя в качестве диодов смещения транзисторные структуры с параллельно включенными эмиттерным и коллекторным переходами. При таком включении диоды обладают наибольшим временем рассасывания, поэтому в период запирания инвертора ток, отбираемый из его базы диодной сборкой, способствует быстрейшему запиранию инвертора.  [13]

Чтобы поддерживать этот ток в течение большего времени, выбирают диоды смещения с большим зарядом переключения. В интегральных схемах такие диоды получают при диодном включении транзистора с разомкнутым коллектором.  [14]

ДТЛ, а переход база - коллектор используется в качестве своеобразного диода смещения.  [15]



Страницы:      1    2    3    4