Cтраница 1
К выбору тока смещения в ячейке ДТЛ.| Ячейка ТТЛ. [1] |
Диоды смещения в статическом режиме всегда проводят, так что в них накапливается заряд. [2]
Диоды смещения Дсм ( см. рис. 7.6) должны обладать возможно меньшим током утечки, так как это способствует увеличению тока базы инвертора Т, а следовательно, повышению нагрузочной способности элемента, поэтому в ИМС, не легированных золотом, в качестве диодов смещения применяются диоды с закороченным коллектором. Недостатком диода с закороченным коллектором является малое время рассасывания, что приводит к быстрому запиранию диодов смещения. [3]
Следовательно, диод смещения должен обладать большим напряжением отпирания, чем диод в цепи обратной связи. [4]
Включаются три диода смещения R. [5]
Триггер на интегральной схеме ДТЛ-типа фирмы Fairchild Semiconductor. [6] |
Замена одного из диодов смещения транзистором с коллектором, подсоединенным к отводу входных резисторов ( R3, R4), позволяет повысить помехозащищенность схемы и увеличить разветвление триггера при данном усилении выходных транзисторов. [7]
Модифицированные варианты интегральных ячеек ДТЛ.| Усовершенствованные варианты выходных цепей ячейки ДТЛ. [8] |
Эмиттерный переход транзистора Г2 играет роль диода смещения, а вносимое им усиление по току увеличивает коэффициент разветвления и ( на некоторых этапах переходных процессов) быстродействие ячейки. [9]
Эпюры напряжений в различных точках схемы. [10] |
Ток через туннельный диод уменьшается, а через диод смещения увеличивается. [11]
ДТЛ, так как в микросхеме ТТЛ исключены диоды смещения, из которых только один скомпенсирован коллекторным переходом МЭТ [ в ( 7 16) разность потенциалов коллектора и эмиттера МЭТ Цон. [12]
Быстродействие инвертора Т можно повысить, используя в качестве диодов смещения транзисторные структуры с параллельно включенными эмиттерным и коллекторным переходами. При таком включении диоды обладают наибольшим временем рассасывания, поэтому в период запирания инвертора ток, отбираемый из его базы диодной сборкой, способствует быстрейшему запиранию инвертора. [13]
Чтобы поддерживать этот ток в течение большего времени, выбирают диоды смещения с большим зарядом переключения. В интегральных схемах такие диоды получают при диодном включении транзистора с разомкнутым коллектором. [14]
ДТЛ, а переход база - коллектор используется в качестве своеобразного диода смещения. [15]