Диод - смещение
Cтраница 2
В микросхемах ДТЛ логический расширитель представляет собой диодную матрицу с диодами смещения на выходе. Один из этих диодов используется как разделительный элемент в параллельной цепи диодных матриц, выполняющих функцию ИЛИ. В микросхемах ТТЛ нет даодов смещения, поэтому в качестве разделительного элемента используется транзисторный усилитель ( на рис. 8.13 - Т, подключаемый к выходу МЭТ, который является входным элементом расширителя. Транзисторный усилитель расширителя соединяется параллельно с простым инвертором микросхемы ТТЛ или с транзистором 7 2 в микросхеме со сложным инвертором. [16]
Для повышения помехоустойчивости схемы между входными диодами и базой транзистора включается диод смещения Дсм. Транзистор отпирается только тогда, когда одновременно запираются все входные диоды Д1, Д2, ДЗ. [18]
Последнее соотношение учитывает тот факт, что время восстановления обратного сопротивления диодов смещения больше времени рассасывания избыточного заряда транзистора. [19]
Из рис. 11.11 видно, что совокупность входных ( логических) диодов и диодов смещения, образуя встречно включенные р-п переходы, по существу соответствует структуре биполярного транзистора. Отсюда возникает возможность замены этой совокупности многоэмиттерным транзистором, выполненном в одном изолирующем островке полупроводникового кристалла. [20]
На рис. 5 - 6, б видно, что совокупность логических диодов Д1, Д2 и диодов смещения ДЗ, Д4 соответствует структуре транзистора, образованного двумя встречно включенными р - - переходами. Отсюда возникает идея заменить эту совокупность многоумиттерным транзистором, выполненным в одном изолирующем кармане. [21]
Столь заметное уменьшение времени рассасывания имеет место лишь в том случае, когда транзисторные структуры, используемые в качестве диодов смещения, включаются по схемам, обеспечивающим большее время рассасывания. Одновременно рассасываются носители из области базы входных диодов, относящихся к III группе логических элементов. Поэтому эти диоды, как и подобные диоды / группы логических элементов, запираются до выхода транзистора из области насыщения. [22]
Если замкнуть выводы 2 и 12 между собой и присоединить их на корпус через нормирующий резистор R, то ток через диод смещения 1д ( и - иЭБ) / ( 600 К), где 1Д - ток диода ( VT10); и - отрицательное напряжение питания; иЭБ - падение напряжения на переходе эмиттер - база; R - сопротивление резистора, определяющего ток; значение 600 - примерное значение внутреннего сопротивления диода, Ом, Чтобы на вход можно было подать высокое входное напряжение и при этом обеспечить линейность преобразования, напряжение на коллекторах транзисторов дифференциального усилителя должно быть не менее напряжения входного сигнала Нормальный рабочий режим достигается подачей необходимого смещения на базы транзистором VT1 и VT3 ( вход X) через делитель напряжения от источника питания. Модулятор может работать от симметричных и несимметричных источников питания, при этом необходимо следить за согласованием нагрузки по входам и выходу. [23]
Если замкнуть выводы 2 - й 12 между собой и присоединить их на корпус через нормирующий резистор R, то ток через диод смещения 1д ( ии - U3B) / ( 600 R), где 1Д - ток диода ( VT10); UM - отрицательное напряжение питания; иЭБ - падение напряжения на переходе эмиттер - база; R - сопротивление резистора, определяющего ток; значение 600 - примерное значение внутреннего сопротивления диода, Ом. Чтобы на вход можно было подать высокое входное напряжение и при этом обеспечить линейность преобразования, напряжение на коллекторах транзисторов дифференциального усилителя должно быть не менее напряжения входного сигнала. Нормальный рабочий режим достигается подачей необходимого смещения на базы транзистором VT1 и VT3 ( вход X) через делитель напряжения от источника питания. Модулятор может работать от симметричных и несимметричных источников питания, при этом необходимо следить за согласованием нагрузки по входам и выходу. [24]
Под ТТЛ понимают элементы, в которых входная логика выполнена с помощью многоэмиттерного транзистора ( рис. 8.25), заменяющего диодную схему и диоды смещения, применяемые в элементах ДТЛ, к которым близки элементы ТТЛ. Подобная замена технологически выгодна. [25]
 |
Этапы развития элементов ТТЛ-типа. [26] |
ДТЛ-типа с таким многоэмиттерным транзистором ( МЭТ) показана на рис. 3.12, г. Устранив перемычку база-коллектор, можно использовать в качестве одного из диодов смещения переход база - коллектор МЭТ, тем самым снизив паразитную емкость узловой точки-базы МЭТ. [27]
Недостатки диодно-транзисторных схем следующие: а) значительное потребление мощности; б) пониженное быстродействие по сравнению с транзисторно-транзисторными элементами за счет времени перезарядки емкостей диодов смещения при значительной величине логического перепада; в) относительная сложность построения. [28]
По данным примера 22 рассчитать полное время переключения Тпер и время задержки распространения / зр трехвходового ДТЛ элемента, в котором в качестве входных диодов и диодов смещения используются диоды Шоттки, а усилитель-ограничитель построен на транзисторе Шоттки. Время переключения диодов Шоттки не превышает 0, 1 не, емкость перехода Сп 2 пф, прямое сопротивление гпр 10 Ом; напряжение отпирания ( / т 0 25 В. [29]
Поскольку транзистор 7 оказался закрытым, те-теперь во время действия очередного импульса 77 / i открывается второй транзистор переключательной цепи Tz током в его базу, текущим через резистор R2 и диод смещения Де. Транзистор Т2 входит в насыщение и переключает в свою коллекторную цепь ток цепи хранения информации. Кроме того, он создает также большой обратный ток в цепи базы транзистора Т3, обеспечивая его быстрое закрывание. [30]
Страницы: 1 2 3 4