Диод - смещение
Cтраница 4
На рис. 8 - 19, а приведена схема элемента диодно-транзистор-ной логики. Схема содержит на входе диодную логическую схему И, включающую в себя диоды Д1 - Дп, резистор R и источник питания Ек. Выход диодной логической схемы через нелинейный элемент ( диоды смещения Дсмг, Дсм2) подсоединен ко входу транзисторного ключа. Для нее характерны затухание сигнала и разброс значений выходного напряжения низкого уровня, обусловленный влиянием сопротивлений источников входных сигналов. Ключ позволяет восстановить уровень О и 1 и устранить упомянутый разброс значений. [46]
Вид трехэмиттерного транзистора в плане показан на рис. 8.26. Области коллектора и базы образуются для многоэмиттерного транзистора так же, как и для обычного, и только на этапе последней ( эмиттерной) диффузии имеется разница: создается не одна, а несколько областей эмиттера. Такой прибор компактнее, чем диодная сборка и два диода смещения, а экономия площади кристалла удешевляет схему. Кроме того, в ячейке ТТЛ можно обойтись без резистора смещения R2, что также уменьшает площадь схемы. [47]
 |
Схема модулятора, использующего электрооптический эффект в р-п-переходе. [48] |
В полупроводниковом диоде р-п-переход при отсутствии электрического поля является оптически изотропной средой, а при наличии поля - анизотропной средой. Так как толщина переходного слоя незначительна, излучение необходимо сфокусировать в центр диода. Напряженность управляющего поля в переходном слое зависит от приложенного к диоду смещения. Диод включен так, что напряжение смещения и управляющее напряжение направлены встречно. Это позволяет осуществлять модуляцию излучения при малых значениях тока, проходящего через диод. [49]
Следовательно, диод смещения должен обладать большим напряжением отпирания, чем диод в цепи обратной связи. Чтобы не происходило заметного уменьшения управляющего тока / упр, отбираемого от источника входных импульсов, желательно выбирать диод смещения с малым прямым сопротивлением. [50]
Диодно-транзисторные логические схемы ( ДТЛ) состоят из диодных цепей, реализующих функцию И и транзисторного инвертора. Таким образом, схема типа ДТЛ выполняет логическую операцию И - НЕ. Диоды KD4 и VD5 не выполняют логических функций; их задача - обеспечить необходимое напряжение смещения на базе транзистора VT. Поэтому эти диоды называют диодами смещения. [51]
Это необходимо для согласования выхода деч текторного каскада со входом транзисторного УНЧ, входное сопротивление которого обычно лежит в указанных пределах, и для того, чтобы получить максимальную чувствительность приемника при минимальном усилении в тракте. При малом уровне входных сигналов коэффициент гармоник существенно зависит от правильности согласования детектора с выходом УПЧ и от режима диода детектора по постоянному току. Обычно с выхода детекторного каскада снимается напряжение постоянного тока для АРУ. В транзисторном приемнике это приводит к необходимости подачи на диод смещения из цепи питания базы транзистора соответствующего каскада УПЧ. Протекающий при этом через диод ток в значительной мере определяет коэффициент передачи детектора и его зависимость от уровня входного сигнала. [52]
Обычно с выхода детекторного каскада снимается напряжение постоянного тока для АРУ. В транзисторном приемнике это приводит к необходимости подачи на диод смещения из цепи питания базы транзистора соответствующего каскада УПЧ. Протекающий при этом через диод ток в значительной мере определяет коэффициент передачи детектора и его зависимость от величины входного сигнала. [53]
Выпрямительный мост В2, конденсатор С2 и разделительный диод Д1 применяются в цепи трансформатора постоянного тока. Выпрямительный мост ВЗ используется в цепи выхода амплистата возбуждения. Диоды смещения Д2, ДЗ, Д4 имеют ток 2 А, обратное напряжение 300 В. [54]
Элементы ТТЛ являются дальнейшим развитием ДТЛ. Входные диоды в схемах ТТЛ заменены многоэмиттерным транзистором, а функция диодов смещения выполняется коллекторным переходом транзистора. Области базы и коллектора образуются для многоэмиттерного транзистора ( рис. НО) аналогично обычному биполярному транзистору, и только на этапе последней ( эмиттерной) диффузии создается не одна, а несколько областей эмиттера. Такой прибор компактнее, чем диодная сборка и два диода смещения, площадка кристалла уменьшается, что приводит к удешевлению схемы. [55]
Страницы: 1 2 3 4