Диод - смещение
Cтраница 3
Самой высокой помехоустойчивостью относительно запирающей и отпирающей помех обладают ИМС диодно - и транзисторно-транзисторной логики ( ( / 0 4 - ь 0 5В), что связано с повышением порога запирания транзистора за счет диодов смещения или дополнительных транзисторов. [31]
Диоды смещения Дсм ( см. рис. 7.6) должны обладать возможно меньшим током утечки, так как это способствует увеличению тока базы инвертора Т, а следовательно, повышению нагрузочной способности элемента, поэтому в ИМС, не легированных золотом, в качестве диодов смещения применяются диоды с закороченным коллектором. Недостатком диода с закороченным коллектором является малое время рассасывания, что приводит к быстрому запиранию диодов смещения. [32]
Паразитные эффекты пассивного типа на входе схемы минимизированы благодаря использованию структуры с общей базой и общим коллектором. Кроме того, паразитные емкости уменьшены за счет исключения диода смещения и резистора в базовой цепи смещений, хотя это несколько ухудшает параметры схемы, а также снижает пороговое напряжение. [33]
Элементы ТТЛ являются дальнейшим развитием ДТЛ. Входные диоды в схемах ТТЛ заменены многоэмиттерным транзистором, а функция диодов смещения выполняется коллекторным переходом транзистора. [34]
В некоторых вариантах ячеек ДТЛ отказываются от источника смещения Е2 и подключают резистор 2 к общей точке схемы. Это возможно потому, что в переходном процессе запирающий ток базы поступает через диоды смещения, временно протекая через них в обратном направлении за счет заряда, накопленного диодами, а статическое запертое состояние транзистора обеспечивается тем. В) недостаточен для преодоления напряжений отсечки трех кремниевых переходов в цепи точка а - Д - Д - эмштерный переход транзистора. [35]
Диоды смещения Дсм ( см. рис. 7.6) должны обладать возможно меньшим током утечки, так как это способствует увеличению тока базы инвертора Т, а следовательно, повышению нагрузочной способности элемента, поэтому в ИМС, не легированных золотом, в качестве диодов смещения применяются диоды с закороченным коллектором. Недостатком диода с закороченным коллектором является малое время рассасывания, что приводит к быстрому запиранию диодов смещения. [36]
Чаще всего эти схемы применяются в сочетании с инвертором, и тогда они реализуют функции ИЛИ - НЕ, И - НЕ. Каждый эмиттерный переход трехэмиттерного транзистора эквивалентен входному диоду, а коллекторный переход этого транзистора выполняет роль диода смещения. Транзисторы VT2, VT3 включены таким образом, что отпирание их происходит одновременно. [37]
В нем лошческая функция осуществляется диодами Д1, Д2, а транзистор Т выполняет функцию инверсии. Задача диодов ДЗ и Д4 обеспечить постоянное напряжение ( сдвиг уровня) между точками а и б, поэтому их называют диодами смещения. [38]
Чтобы увеличить нагрузочную мощность усилителей мощности, выполненных на основе эмиттерных повторителей, используют составные транзисторы. Принципиальная схема такого усилителя мощности приведена на рис. 4.28. В схеме ( рис. 4.28) вместо резисторов R, определяющих то к диодов смещения VDj и VD2 применяют источники постоянного тока /, позволяющие расширить динамический диапазон входного сигнала. [39]
Определим продолжительность переходных процессов при включении схемы. Если входные диоды запираются настолько быстро, что заряд на паразитных емкостях не успевает заметно измениться, то время задержки / зб, в течение которого напряжение на входе транзистора достигает U э от, можно рассчитать при помощи упрощенной эквивалентной схемы рис. 3.34. В этой схеме диоды смещения заменены источниками смещения с напряжением U до 0 65 В. Для упрощения расчетов пренебрегаем токами, поступающими в точку А через зарядные емкости входных диодов. [40]
 |
Схема типа ДТЛ. [41] |
Пусть в исходном состоянии напряжения на логических входах равны нулю. Тогда диоды VDl, VD2 и VD3 открыты и через них протекает практически весь ток / х от источника t / H. В сторону диодов смещения ( вправо от точки а, рис. 11.11, а) ток почти не идет, поскольку сопротивление двух последовательно включенных диодов смещения VD4, VD5 и высокоомного резистора R3 оказывается значительно больше, чем сопротивление открытых входных диодов. [42]
 |
Условные графические обозначения логических ИМС серии К178 v. [43] |
Является ли эта особенность схемы ее преимуществом. С какой целью используется последовательное включение двух диодов смещения. Для чего в схемах ТТЛ используется многоэмиттерный транзистор. Что собой представляет логический расширитель. Как он подключается к основной схеме ТТЛ. [44]
 |
Схема трех элементов РТЛ. [45] |
Страницы: 1 2 3 4