Cтраница 1
Диод Шоттки по существу представляет собой прибор, в котором происходит движение основных носителей заряда, и поэтому / 0 в первом приближении не зависит от концентрации ND, если она принимает достаточно большие значения. Влияние диффузии, характеризуемое (2.66), также усиливается при малых NQ, что приводит к понижению / о - При высоких значениях ND ( не менее 10 8 - 10 19 см 3) барьер Шоттки существенно снижается и становится настолько тонким, что его преодолевает посредством туннелирования большое количество носителей заряда. [1]
Диоды Шоттки широко применяются в схемах детекторов и смесителей СВЧ-диапазона. Малые емкость и последовательное сопротивление, отсутствие инжекции неосновных носителей позволяют применять диод Шоттки во всем СВЧ-диапазоне вплоть до миллиметровых и даже субмиллиметровых волн. [2]
СВЧ-лиод с переходом Шоттки на арсениде галлия. [3] |
Диоды Шоттки позволяют значительно уменьшить коэффициент шума. В них использован выпрямляющий контакт между полупроводником и металлом, в котором ток переносится основными носителями. Зги диоды обладают наименьшей способностью накопления неравновесных носителей заряда. [4]
Диоды Шоттки, включенные параллельно коллекторным переходам многоколлекторного п - р - n - транзистора, выполнены в активной области высокоомной базы п - р - п-транзистора. Топологическое решение диодов таково, что металл омического контакта к коллектору п - р - n - транзистора одновременно является анодом диода Шоттки, что эквивалентно его подключению параллельно каждому коллекторному переходу. [5]
Поле, созданное электроном, ушедшим из металла ( а, и энергия, требуемая для его выхода ( б. [6] |
Диоды Шоттки имеют два важных преимущества по сравнению с биполярными диодами. [7]
Диод Шоттки выполнен на основе перехода металл - полупроводник. Обычно в качестве полупроводника используется / г-кремний, а в качестве металлического электрода - молибден, золото, алюминий и другие металлы, работа выхода которых для образования выпрямляющего контакта должна быть больше работы выхода кремния. [8]
Структура транзисторов с диодами Шоттки с охранным кольцом ( а и с расширенным электродом ( б. [9] |
Диоды Шоттки могут быть использованы совместно с интегральными транзисторами для предотвращения их глубокого насыщения. В этом случае диод Шоттки шунтирует коллекторный переход транзистора. В соответствии с разновидностями конструкций диодов Шоттки возможны две основные разновидности конструкций транзистора с диодами Шоттки, которые на рис. 2.11 приведены для случая изоляции р - - переходом. Транзистор с диодом Шоттки может быть успешно реализован при использовании других методов изоляции, например, изоляции термическим окислом. [10]
Диод Шоттки - это полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника. [11]
Диод Шоттки выполнен на основе перехода металл - полупроводник. Обычно в качестве полупроводника используется / г-кремний, а в качестве металлического электрода - молибден, золото, алюминий и другие металлы, работа выхода которых для образования выпрямляющего контакта должна быть больше работы выхода кремния. [12]
Диоды Шоттки отличаются тем, что их работа основана на переносе основных носителей. [13]
Следовательно диод Шоттки закрыт. [14]
Почему диоды Шоттки целесообразно применять в качестве импульсных диодов. [15]