Диод - шоттка
Cтраница 4
Обратный ток в диоде Шоттки невелик; в переключательных диодах ток / обр составляет десятки пикоампер. [46]
Если предположить, что диод Шоттки в транзисторе VT5 открыт, то предварительную оценку токов можно сделать, положив С / б Б Un, С / бэв - 0, 7 В и С / к5 С / к4 4, 7 В. [47]
Для удобства пользования справочником диоды Шоттки, германиевые и селеновые диоды расположены по мере возрастания среднего тока. [48]
 |
Устройство р-п перехода точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных мезадиодов ( г и планарных ( д импульсных диодов. 1 - р-п переход. 2 - кристалл. 3 - омический контакт. [49] |
Следует отметить, что диоды Шоттки получили распространение сравнительно недавно ( в начале 70 - х годов), хотя их теория насчитывает более 50 лет. Шоттки с характеристиками и параметрами, близкими к идеальным. [50]
Для экспериментальных исследований четверки диодов Шоттки предварительно отбирались по следующим параметрам: разброс емкостей диодов, измеренных на частоте 50 МГц, не превышал 0 05 пФ, а разброс прямых падений напряжения при смещении постоянным током 1 мА был не более 0 03 В. [52]
 |
Влияние области объемного заряда при различных напряжениях на переходе. [53] |
Ток / 0 для диода Шоттки, находящегося при прямом смещении, обычно больше, чем /, на несколько порядков. [54]
Таким образом, применение диодов Шоттки в биполярных ИС позволяет достичь, во-первых, более высокого быстродействия схем и, во-вторых, более высокой плотности упаковки компонентов на кристалле. [55]
Изготовление интегрального транзистора с диодом Шоттки не требует введения дополнительных технологических операций. Необходимо лишь изменить соответствующим образом фотошаблон, применяемый при проведении фотолитографии для снятия двуокиси кремния под контакты, и расширить слой напыляемого алюминия за металлургическую границу коллекторного перехода. Однако при снятии двуокиси кремния в месте выхода коллекторного перехода на поверхность монокристалла кремния и при обработке этой поверхности перед нанесением алюминиевой металлизации следует предотвратить возможность загрязнения / 7-я-перехода коллектора неконтролируемыми примесями. [56]
Примеры логических ячеек с диодами Шоттки приведены на рис. 5 - 9, б, г. Их изготовление требует специальной технологии, существенно отличающейся от стандартной технологии изготовления ИС с биполярными транзисторами. [57]
 |
Логические КМДП элементы. а - схема ИЛИ-НЕ. б-схема И-НЕ. [58] |
Однако ТТЛ ИС с диодами Шоттки стоят дороже КМДП ИС. [59]
Быстродействующие БИС ТТЛ с диодами Шоттки представляют собой микропроцессорный комплект схем, обладающий широким функциональным составом и большой гибкостью при построении различных вычислительных устройств. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5