Диод - шоттка
Cтраница 2
Если диод Шоттки выполняется на допустимое обратное напряжение больше чем 40В, сопротивление слаболегированной области ( и -) возрастает при этом очень быстро, поскольку для создания более высокого допустимого обратного напряжения требуется более протяженная слаболегированная область и еще более низкая концентрация носителей. В результате оба фактора приводят к возрастанию сопротивления - - области диода. [16]
Поскольку диод Шоттки транзистора VT5 закрыт, выходное сопротивление логического элемента вычисляется по той же формуле (5.13), что и для логического элемента без диодов Шоттки. [17]
 |
Зависимость от напряжения смещения на близких часто. [18] |
Исследование диодов Шоттки из GaAs в поле СВЧ накачки показало, что при протекании прямых токов детектирования избыточные шумы отсутствуют. [19]
Подключение диода Шоттки приводит к уменьшению на несколько порядков избыточного заряда, накопленного в транзисторе. [20]
Назначение диодов Шоттки в схемах ТТЛ-типа будет рассмотрено при анализе последних. [21]
Применение диодов Шоттки в конструкции И2Л - элемента позволяет увеличить его быстродействие за счет снижения логического размаха М Ин - UL, где UH и UL - значения выходного напряжения элемента, соответствующие высокому и низкому логическим уровням сигнала. [22]
ВАХ диода Шоттки базируется на теории термоэлектронной эмиссии электронов. [23]
В основе диодов Шоттки лежит контакт между металлом и полупроводником. Такой контакт, как отмечалось в § 2 - 4, при определенных условиях может обладать выпрямительными свойствами. Для этого необходимо, чтобы приповерхностный слой полупроводника в равновесном состоянии был обеднен основными носителями и чтобы сопротивление обедненного слоя было много больше сопротивления остальной части полупроводниковой пластины. Несмотря на то что теория контакта между металлом и полупроводником существует около 50 лет 1, реализовать данный тип диодов удалось лишь в начале 70 - х годов. [24]
Основным преимуществом диодов Шоттки по сравнению с диодами с р-п переходом является тот факт, что у них отсутствует инжекция неосновных носителей при прямом смещении, а значит, и явления накопления и рассасывания этих носителей. Соответственно инерционность диодов Шоттки обусловлена только барьерной емкостью контакта и может быть сделана весьма малой путем уменьшения размеров структуры. Типичный диапазон рабочих частот составляет 3 - 15 ГГц, а времена переключения доходят до 0 1 не и менее. [25]
 |
Энергетические диаграммы фотодиода Шоттки. [26] |
Характерной чертой диодов Шоттки по сравнению с диодами на р-п переходе является отсутствие инжекции неосновных носителей. Диоды Шоттки, как говорят, работают на основных носителях, и в них отсутствуют относительно медленные процессы, связанные с накоплением и рассасыванием неосновных носителей в базе диода. Однако для фотодиодов Шоттки этот факт практически не имеет значения, так как они работают не при прямом напряжении. [27]
 |
Устройство диода Шоттки. - - - - - - - - / L. [28] |
Вольт-амперная характеристика диодов Шоттки почти идеально описывается экспоненциальной зависимостью ( 10 - 52) для идеализированного диода. Это обстоятельство позволяет с успехом использовать диоды Шоттки в качестве логарифмирующих элементов. [29]
Поэтому применение диодов Шоттки или других схемотехнических приемов для ограничения насыщения транзисторов в схемах с диодными связями необязательно. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5