Диод - шоттка
Cтраница 3
 |
Статическая характеристика обращенного диода. [31] |
В основе диодов Шоттки лежит контакт между металлом и пол; проводником. Такой контакт, как отмечалось в § 2 - 4, при определеннь условиях может обладать выпрямительными свойствами. Для это: необходимо, чтобы приповерхностный слой полупроводника в равн веском состоянии был обеднен основными носителями и чтобы сопр тивление обедненного слоя было много больше сопротивления остал ной части полупроводниковой пластины. Несмотря на то, что теорр контакта между металлом и полупроводником была развита бол 40 лет назад 1, реализовать данный тип диодов удалось лишь в самь последние годы. [32]
Основным преимуществом диодов Шоттки по сравнению с диодами р-п переходом является тот факт, что у них отсутствует явление яжекции неосновных носителей при прямом смещении, а значит, и зления накопления и рассасывания этих носителей. Соответственно терционность диодов Шоттки обусловлена только барьерной емкостью знтакта и может быть сделана весьма малой путем уменьшения раз-ров структуры. Типичный диапазон рабочих частот составляет - 15 Ггц, а времена переключения доходят до 0 1 нсек. [33]
Остальные параметры диодов Шоттки, германиевых и селеновых диодов приводятся в соответствующих технических условиях на конкретный тип прибора или в каталогах зарубежных фирм-изготовителей приборов. [34]
Для создания диодов Шоттки ( ДШ) используется переход металл-полупроводник. Работа этих диодов основана на переносе основных носителей заряда и характеризуется высоким быстродействием. Так как в них отсутствует характерное для р-п переходов накопление неосновных носителей заряда, ДШ используют в качестве элементов интегральных микросхем, а также в качестве дискретных приборов. Маломощные ДШ изготовляются на основе кремния и арсенида галлия n - типа и предназначаются для преобразования сигнала СВЧ-диапазона ( выпрямление, смешение частот, модуляция) и для импульсных устройств. [35]
 |
Вольтамперная характеристика точечного диода ( а и ее зависимость от изменения температу-ры ( б. [36] |
Основное преимущество диодов Шоттки по сравнению с диодами на р-п переходах - возможность получения меньших значений прямого сопротивления контакта, так как металлический слой по этим свойствам превосходит любой, даже сильно легированный слой полупроводника. [37]
 |
Устройство диода Шоттки. - - - - - - - - / L. [38] |
Вольт-амперная характеристика диодов Шоттки почти идеально описывается экспоненциальной зависимостью ( 10 - 52) для идеализированного диода. Это обстоятельство позволяет с успехом использовать диоды Шоттки в качестве логарифмирующих элементов. [39]
 |
Распределение примесей в полупроводнике при диффузии ( а и возникновение электрического поля в базе ( б.| Форма тока при переключении диода с накоплением заряда из прямого смещения в обратное. [40] |
Для создания диодов Шоттки используется контакт металл-полупроводник. Теория, описывающая электрические характеристики таких контактов, была разработана немецким ученым Шоттки, вследствие чего диоды и называют его именем. [41]
ТТЛ с диодами Шоттки являются более высокие требования к технологическим процессам, меньший выход годных, а следовательно, более высокая стоимость по сравнению с обычными схемами ТТЛ. [42]
Еще одним преимуществом диодов Шоттки является то, что вольт-амперная характеристика ( 2 - 33) сохраняется для них в гораздо более широком диапазоне токов, чем для обычного р-п перехода, поскольку отсутствует модуляция сопротивления базы неосковными носителями. Следовательно, диоды Шоттки могут, по-видимому, использоваться и в качестве логарифмирующих элементов. [43]
Биполярные ИС с диодами Шоттки. [44]
Так как в диодах Шоттки заряд переносится основными носителями, то в них отсутствует неравномерность распределения носителей ( свойственная р - п-перехо-дам), снижающая скорость перехода диода из открытого состояния в закрытое. Следовательно, диоды Шоттки менее инерционны, чем диоды, построенные на р-д-переходах. Время переключения первых может достигать сотых долей наносекунды. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5