Скорость - рекомбинация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
"Имидж - ничто, жажда - все!" - оправдывался Братец Иванушка, нервно цокая копытцем. Законы Мерфи (еще...)

Скорость - рекомбинация

Cтраница 1


Скорость рекомбинации г есть количество актов рекомбинации в единице объема в единицу времени.  [1]

Скорость рекомбинации мало зависит от температуры, что связано с незначительной энергией активяоии этого пропег. Хптя пп - вышение температуры увеличивает скорость диффузии макрорадикалов, достигаемый при этом эффект, по всей вероятности, недостаточно велик, чтобы значительно отражаться на скорости реакции.  [2]

Скорость рекомбинации зависит от химической природы материала и состояния поверхности. Скорость рекомбинации убывает в ряду Pt, Pd, W, Fe, Cr, Ag, Cu, Pb, причем энергия активации этого процесса на платине составляет около 3 ккал. Если кварцевое стекле покрыть мономолекулярной пленкой воды, то это затрудняет процесс рекомбинации атомов водорода или кислорода.  [3]

Скорость рекомбинации в объеме прямо пропорциональна объемной плотности ионов и обратно пропорциональна кубу абсолютной температуры. При относительно небольших концентрациях ионов и невысоких температурах рекомбинация на поверхности превосходит рекомбинацию в объеме в 102 - 106 раз.  [4]

5 Схема межзонной излучателыюй рекомбинации. [5]

Скорость рекомбинации измеряется числом носителей, ежесекундно рекомбинирующих в единице объема полупроводника. Обозначим ее через Rn для электронов и через Rp для дырок.  [6]

Скорость рекомбинации в этом случае является уже квадратичной функцией от концентрации избыточных носителей, а время жизни - обратно пропорционально этой концентрации. Такая рекомбинация называется часто квадратичной.  [7]

8 Различные типы обратных участков вольт-амперных характеристик р - n - переходов ( изображены схематично. [8]

Скорость рекомбинации равна An / т, где т - время жизни неосновных носителей заряда.  [9]

Скорость рекомбинации измеряется числом носителей заряда, ежесекундно рекомбинирующих в единице объема полупроводника. Для неравновесных носителей заряда она равна произведению вероятности рекомбинации носителя в единицу времени на избыточную концентрацию.  [10]

Скорость рекомбинации в объеме прямо пропорциональна объемной плотности ионов и обратно пропорциональна кубу абсолютной температуры. При относительно небольших концентрациях ионов и невысоких температурах рекомбинация на поверхности превосходит рекомбинацию в объеме в 102 - 10 раз.  [11]

Скорость рекомбинации во многом зависит от природы растворителя и в особенности от характера галоида алкилгалогенида.  [12]

Скорость рекомбинации в первую очередь определяется числом соударений противоположно заряженных ионов. Последнее обусловлено электрическим полем ионов и намного превышает число соударений между нейтральными частицами в идентичных условиях. При увеличении скорости ионов вероятность рекомбинации уменьшается вследствие того, что время нахождения частиц вблизи друг друга сокращается. Вероятность рекомбинации увеличивается с увеличением эффективного диаметра ионов.  [13]

Скорость рекомбинации в первую очередь определяется числом соударения противоположно заряженных ионов. Последнее обусловлено электрическим полем ионов и намного превышает число соударений между нейтральными частицами в идентичных условиях. Вероятность рекомбинации увеличивается с увеличением эффективного диаметра ионов.  [14]

Скорость рекомбинации в первую очередь определяется числам соударения противоположно заряженных ионов. Последнее обусловлено электрическим полем ионов и намного превышает число соударений между нейтральными частицами в идентичных условиях. При увеличении скорости ионов вероятность рекомбинации уменьшается вследствие того, что время нахождения частиц вблизи друг друга сокращается. Вероятность рекомбинации увеличивается с увеличением эффективного диаметра ионов.  [15]



Страницы:      1    2    3    4