Cтраница 3
Константа скорости рекомбинации практически не зависит от температуры, поскольку рекомбинация атомов идет без энергии активации. [31]
Константа скорости рекомбинации кумилперок-оирадикала о три-трет-бутилфеяолом равна 2.10 л / оль. [32]
Константа скорости рекомбинации образующихся пероксирадикалов невелика, что приводит к наличию больших концентраций R03 в среде окисляющегося кумола. Значительная устойчивость гидроперекиси создает возможность достижения больших выходов гидроперекиси при низких температурах. [33]
Чем больше скорость рекомбинации, тем короче цепь, следовательно, чем больше скорость инициирования, тем короче цепь - Длина цепи при комнатной температуре в различных реакциях может колебаться от 1000000 превращенных молекул на один первичный радикал ( хлорирование олефинов) до нескольких десятков звеньев. [34]
Итак, скорость рекомбинации на омическом переходе не превосходит тепловой скорости движения носителей заряда. Это имеет практическое значение, так как нет смысла пытаться совершенствовать омические переходы, скорость рекомбинации на которых приближается к максимально возможной. [36]
Итак, скорость рекомбинации на контакте не превосходит тепловой скорости движения носителей заряда. Это имеет практическое значение, так как нет смысла пытаться совершенствовать контакты, скорость рекомбинации на которых приближается к максимально возможной. [37]
При сСпред скорость рекомбинации, описываемая уравнением (7.25), становится бесконечно большой. [38]
Чем определяется скорость рекомбинации в примесных и собственных полупроводниках и в каких она больше. [39]
Как связана скорость рекомбинации с временем жизни. [40]
При этом скорость рекомбинации уже не пропорциональна квадрату концентрации и является сложной функцией концентрации и времени. [41]
Так как скорость рекомбинации на базовом контакте не является бесконечной, то, естественно, что при таком расчете будут получены несколько заниженные значения времени переходных процессов. [42]
![]() |
Определение падения напряжения на переходе путем экстраполяции распределения потенциала в полупроводнике. [43] |
Итак, скорость рекомбинации на омическом переходе не превосходит тепловой скорости движения носителей заряда. Это имеет практическое значение, так как нет смысла пытаться совершенствовать омические переходы, скорость рекомбинации на которых приближается к максимально возможной. [44]
Выражения для скоростей рекомбинации в случае, когда молекулы NO на поверхности не образуются. Рассмотрим вначале наиболее часто используемый исследователями случай, когда не учитываются процессы образования окиси азота на каталитической поверхности. [45]