Cтраница 4
Величина константы скорости рекомбинации уменьшается с увеличением температуры и усложнением радикалов. Однако понижение значения константы рекомбинации с увеличением моль-веса радикала достигает предела и с дальнейшим удлинением радикала практически остается неизменным. Это обусловлено поведением стерического фактора, который уменьшается с увеличением температуры и удлинением радикалов до некоторой величины последних. [46]
Выражения для скоростей рекомбинации в случае, когда молекулы NO на поверхности не образуются. Рассмотрим вначале наиболее часто используемый исследователями случай, когда не учитываются процессы образования окиси азота на каталитической поверхности. [47]
При уменьшении скорости рекомбинации NO вследствие замораживания энергии на химических степенях свободы температура падает. В определенных условиях падение температуры может сдвинуть равновесие первой стадии в сторону образования КгО4 так, что концентрация N2O4 в неравновесном потоке окажется выше замороженной концентрации. [49]
Для константы скорости рекомбинации пропильных радикалов при 1003С найдено значение 1 10 - 8 см3 на одну молекулу в секунду. [50]
![]() |
Вероятности рекомбина - [ IMAGE ] Эффективные вероятно-ции атомов кислорода в реакции сти гетерогенной рекомбинации на Или-Райдила покрытии I. [51] |
При увеличении температуры скорость рекомбинации растет, а с растет и коэффициент каталитической активности. При достаточно высоких температурах ( для каждого покрытия своей) преобладают процессы термической десорбции, степень заполнения поверхности уменьшается, и результирующий коэффициент скорости гетерогенной рекомбинации атомов кислорода также уменьшаются. Из рис. 4.2 видно, что максимальное значение 7i не превышает 10 - - 2 и в зависимости от выбора параметров модели катализа может меняться в пределах порядка. [52]
Таким образом, скорость рекомбинации на омическом переходе не превосходит скорости движения носителей заряда. Если перенос носителей заряда к переходу вызван диффузией, то скорость движения не может превзойти тепловой скорости. [53]
![]() |
Вероятности рекомбина - [ IMAGE ] Эффективные вероятно-ции атомов кислорода в реакции сти гетерогенной рекомбинации на Или-Райдила покрытии I. [54] |
При увеличении температуры скорость рекомбинации растет, а с ней растет и коэффициент каталитической активности. При достаточно высоких температурах ( для каждого покрытия своей) преобладают процессы термической десорбции, степень заполнения поверхности уменьшается, и результирующий коэффициент скорости гетерогенной рекомбинации атомов кислорода также уменьшаются. Из рис. 4.2 видно, что максимальное значение 7i не превышает 10 - 2 и в зависимости от выбора параметров модели катализа может меняться в пределах порядка. [55]
Таким образом, скорость рекомбинации на контакте не превосходит скорости движения носителей заряда. Если перенос носителей заряда к контакту связан с диффузией, то скорость движения, в свою очередь, не может превзойти тепловой скорости. [56]
В собственных полупроводниках скорость рекомбинации зависит от концентрации ловушек рекомбинации. [57]
Концентрация носителей и скорость рекомбинации на поверхности кристалла должны иметь такие значения, которые обеспечивали бы оптимальные параметры полупроводникового прибора, а именно: низкий уровень обратных токов, высокие пробивные напряжения и большие коэффициенты усиления. Отсюда следует, что окружающая прибор атмосфера должна иметь не только постоянный, но и вполне определенный химический состав. В связи с этим рассмотрим влияние адсорбированных в окис-ной пленке молекул на перечисленные выше параметры. [59]