Скорость - рекомбинация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Мудрость не всегда приходит с возрастом. Бывает, что возраст приходит один. Законы Мерфи (еще...)

Скорость - рекомбинация

Cтраница 4


Величина константы скорости рекомбинации уменьшается с увеличением температуры и усложнением радикалов. Однако понижение значения константы рекомбинации с увеличением моль-веса радикала достигает предела и с дальнейшим удлинением радикала практически остается неизменным. Это обусловлено поведением стерического фактора, который уменьшается с увеличением температуры и удлинением радикалов до некоторой величины последних.  [46]

Выражения для скоростей рекомбинации в случае, когда молекулы NO на поверхности не образуются. Рассмотрим вначале наиболее часто используемый исследователями случай, когда не учитываются процессы образования окиси азота на каталитической поверхности.  [47]

48 Изменение массовой концентрации NO вдоль проточной части турбины в зависимости от времени пребывания. / - равновесная концентрация. 2 - замороженная концентрация. 3, 4, 5 - кинетические концентрации при t, равном соответственно 0 329 - 10 - сек, 0 167 - 10 - и 0 113 - 10.| Изменение массовой концентрации NsO4 вдоль проточной части турбины в зависимости от времени пребывания. Обозначения те же, что и на. [48]

При уменьшении скорости рекомбинации NO вследствие замораживания энергии на химических степенях свободы температура падает. В определенных условиях падение температуры может сдвинуть равновесие первой стадии в сторону образования КгО4 так, что концентрация N2O4 в неравновесном потоке окажется выше замороженной концентрации.  [49]

Для константы скорости рекомбинации пропильных радикалов при 1003С найдено значение 1 10 - 8 см3 на одну молекулу в секунду.  [50]

51 Вероятности рекомбина - [ IMAGE ] Эффективные вероятно-ции атомов кислорода в реакции сти гетерогенной рекомбинации на Или-Райдила покрытии I. [51]

При увеличении температуры скорость рекомбинации растет, а с растет и коэффициент каталитической активности. При достаточно высоких температурах ( для каждого покрытия своей) преобладают процессы термической десорбции, степень заполнения поверхности уменьшается, и результирующий коэффициент скорости гетерогенной рекомбинации атомов кислорода также уменьшаются. Из рис. 4.2 видно, что максимальное значение 7i не превышает 10 - - 2 и в зависимости от выбора параметров модели катализа может меняться в пределах порядка.  [52]

Таким образом, скорость рекомбинации на омическом переходе не превосходит скорости движения носителей заряда. Если перенос носителей заряда к переходу вызван диффузией, то скорость движения не может превзойти тепловой скорости.  [53]

54 Вероятности рекомбина - [ IMAGE ] Эффективные вероятно-ции атомов кислорода в реакции сти гетерогенной рекомбинации на Или-Райдила покрытии I. [54]

При увеличении температуры скорость рекомбинации растет, а с ней растет и коэффициент каталитической активности. При достаточно высоких температурах ( для каждого покрытия своей) преобладают процессы термической десорбции, степень заполнения поверхности уменьшается, и результирующий коэффициент скорости гетерогенной рекомбинации атомов кислорода также уменьшаются. Из рис. 4.2 видно, что максимальное значение 7i не превышает 10 - 2 и в зависимости от выбора параметров модели катализа может меняться в пределах порядка.  [55]

Таким образом, скорость рекомбинации на контакте не превосходит скорости движения носителей заряда. Если перенос носителей заряда к контакту связан с диффузией, то скорость движения, в свою очередь, не может превзойти тепловой скорости.  [56]

В собственных полупроводниках скорость рекомбинации зависит от концентрации ловушек рекомбинации.  [57]

58 Изображение р-п перехода с инверсионным слоем п типа. Наверху дан график падения обратного напряжения по длине инверсионного слоя. Стрелками показано направление обратного тока через рабочую часть инверсионного слоя. [58]

Концентрация носителей и скорость рекомбинации на поверхности кристалла должны иметь такие значения, которые обеспечивали бы оптимальные параметры полупроводникового прибора, а именно: низкий уровень обратных токов, высокие пробивные напряжения и большие коэффициенты усиления. Отсюда следует, что окружающая прибор атмосфера должна иметь не только постоянный, но и вполне определенный химический состав. В связи с этим рассмотрим влияние адсорбированных в окис-ной пленке молекул на перечисленные выше параметры.  [59]



Страницы:      1    2    3    4