Скорость - рекомбинация
Cтраница 2
Скорость рекомбинации и других превращений радикалов зависит от их пространственного распределения в матрице. В действительности, однако, образующиеся при действии излучений радикалы распределены неравномерно. Размеры областей локализации радикалов и первичных продуктов радиолиза в твердых веществах определяются особенностями передачи веществу энергии излучения и связаны с длиной пробега горячих частиц, например вторичных электронов или атомов водорода, и с расстоянием, на которое передается возбуждение. Кинетические особенности реакций радикалов и других активных частиц в твердых телах тесно связаны с характером их пространственного распределения. [16]
Скорость рекомбинации задана током насыщения ионизационной камеры ВБ. За счет появления отрицательных ионов скорость рекомбинации должна возрастать, но так как скорость рекомбинации задана током насыщения, то напряженность поля возрастает до тех пор, пока скорость рекомбинации не станет равной заданной. Изменение напряженности поля происходит за счет изменения разности потенциалов на электродах ВК и является сигналом. [17]
Скорость рекомбинации пропорциональна коэффициенту К и произведению концентрации носителей заряда. [18]
Скорость рекомбинации в объеме пропорциональна объемной плотности ионов и обратно пропорциональна кубу абсолютной температуры. При относительно небольших концентрациях ионов и невысоких температурах рекомбинация на поверхности превосходит рекомбинацию в объеме от 102 до 106 раз. [19]
Скорость рекомбинации в объеме пропорциональна объемной плотности ионов и обратно пропорциональна кубу абсолютной температуры. При относительно небольших концентрациях ионов и невысоких температурах рекомбинация на поверхности превосходит рекомбинацию в объеме от 102 до 10е раз. [20]
Скорость рекомбинации на поверхности определяется как отношение плотности носителей, рекомбинирующих на единице поверхности за секунду, к избыточному значению концентрации носителей у поверхности. Для получения величины тока, обусловленного поверхностной рекомбинацией ( изменения заряда в единицу времени), s следует умножить на заряд электрона q, эффективную площадь поверхности Ss, на которой происходит рекомбинация, и на концентрацию носителей. [21]
Скорость рекомбинации определялась бы исключительно концентрацией основных носителей только в том случае, если бы рекомбинация происходила при непосредственном столкновении электрона и дырки. Однако такой процесс рекомбинации в большинстве случаев представляется маловероятным. В основном рекомбинация осуществляется при посредстве рекомбинационных ловушек, захватывающих поочередно электрон и дырку. Такими рекомбинацион-ными ловушками могут являться некоторые примесные атомы. Именно поэтому с ростом концентрации примесей скорость рекомбинации, как правило, возрастает, а время жизни уменьшается. Различные примеси в разной степени влияют на время жизни. Некоторые примеси ( например, золото в германии и кремнии) представляют собой исключительно активные рекомбинационные ловушки и резко уменьшают время жизни, хотя и не обладают ярко выраженными донорными или акцепторными свойствами. [22]
Скорость рекомбинации мало зависит от температуры, что связано с незначительной энергией активяоии этого процесса. Хотя по - вышение температуры увеличивает скорость диффузии макрорадикалов, достигаемый при этом эффект, по всей вероятности, недостаточно велик, чтобы значительно отражаться на скорости реакции. [23]
Скорость рекомбинации этильных радикалов измерена с меньшей точностью. [24]
 |
Структура магнитодиода с областью высокой скорости рекомбинации ( s на одной грани.| Вольт-амперные характеристики магнитодиода ( а и S-дио-да ( б при прямом смещении в магнитном поле ( B3B2Bi. [25] |
Если скорости рекомбинации на гранях одинаковы, то эффективное время жизни уменьшается и соответственно ток такого магни-тодиода в магнитном поле уменьшится. [26]
Если скорость рекомбинации на одной грани много меньше, чем на другой ( рис. 7.14), то тогда при отклонении несителей к этой грани роль рекомбинации на второй грани с высокой скоростью рекомбинации резко уменьшается. [27]
Обычно скорость рекомбинации на базовом контакте во много раз выше скорости рекомбинации в объеме полупроводника. [28]
Константа скорости рекомбинации измерена в [6] и составляет величину - 2 2 - 1010 см3 / моль - с. Образование тетрафторэтилена исключает протекание обратной реакции с НС1 в нормальных условиях. [29]
 |
Установление стационарной концентрации NO2 при облучении смеси N2 и Os быстрыми электронами. [30] |
Страницы: 1 2 3 4