Скорость - рост - пленка
Cтраница 1
Скорость роста пленок SiC2 на кремнии составляет ( 6 - 40) 10 - 9 м / мин при частоте генератора 2 5 109 Гц и температуре подложки 300 С. Важными факторами для всех методов анодирования являются тщательная подготовка поверхности образца, подвод электрических контактов к нему и чистота системы. [1]
Скорость роста пленки составляет от десятых долей до нескольких микрометров в минуту. [2]
Скорость роста пленок определяется скоростью диффузии атомов среды и атомов металла. В случае образования пленок, не обладающих защитными свойствами ( например, щелочные, щелочноземельные металлы), справедлив линейный закон, а для металлов и сплавов с защитными пленками - параболический или логарифмический. [3]
Скорость роста пленки изменяется с изменением кристаллической ориентации зерен железа. [4]
Скорость роста пленки составляет от десятых долей до нескольких микрометров в минуту. [5]
Однако скорость роста пленки опережает степень увеличения ее маслоемкости. Из данных табл. 9 видно, что при увеличении бпл или Рпя пленки в 7 раз, маслоемкость ее возросла в 2 раза. Связано это, по-видимому, с тем, что поглощаемое масло остается преимущественно в порах и в межкристаллических зазорах пленки, а выступающие части кристаллов, обусловливающие также бпл и Рпл, лишь смачиваются маслом. Опыты также показали, что при увеличении продолжительности промасливания до 25 мин маслоемкость пленки не изменяется. [6]
При скоростях роста пленки 0 1 - 0 3 А / сек и температурах подложки 100 - 170 С образуются пленки вещества с относительно высоким удельным электрическим сопротивлением, превышающим в 2 - 4 раза удельное сопротивление массивного образца карбида молибдена. [7]
Различие в скорости роста пленки ( выходе пленки по току) на алюминии и сплаве Д16 обусловливается спецификой анодного процесса, проходящего на алюминиевых сплавах, содержащих медь. [8]
Так как скорость роста пленки окисла прямо пропорциональна давлению водяного пара, можно получить высокие скорости процесса за счет высокого давления пара. При давлении пара 50 кГ / см2 и / 650 С пленку толщиной 1 мкм получают за 400 мин ( рис. 1.25 6); при нормальном давлении пара за это же время и при той же температуре образуется пленка толщиной лишь 0 02 мкм. [9]
Действительные значения скорости роста пленки окажутся меньше вследствие полидисперсных частиц в подаваемой на отстаивание воде. Приведенные данные не учитывают перетока пленки по поверхности отстоя и подпитки се участков в конце зоны отстоя за счет начальных участков. [10]
Эти параметры определяют скорость роста пленки. [11]
Установлено, что скорость роста пленок из бензола выше, чем из толуола и этилбензола. [12]
 |
Реакции коррозионного типа. [13] |
В этом случае скорость роста пленки вначале сравнительно велика, но затем она быстро уменьшается. [14]
 |
Зависимость скорости роста ( 111 GaAs на ( 0001 А1гО., от температуры подлож ] м. [15] |
Страницы: 1 2 3 4