Скорость - рост - пленка
Cтраница 4
Изменение всех этих условий меняет не только скорость роста пленки, но и степень ее структурного совершенства, чистоту и характер легирования пленки примесью из подложки. Поэтому выбор режимов выращивания может оказаться весьма критичным. Так, уменьшение температуры роста может повысить чистоту пленки, но ухудшит ее структурное совершенство. В то же время в какой-то степени структурные свойства пленки можно регулировать независимо, меняя скорость ее роста. [46]
Таким образом, при малой толщине пленки скорость роста пленки обусловливается кристаллохимическим превращением. [47]
Качество обработки поверхности подложки также влияет на скорость роста пленки: чем выше класс точности обработки поверхности, тем медленнее растет пленка при фиксированной температуре. [48]
Возникающие пленки бывают обычно сплошные, причем скорость роста пленки определяется диффузией ионов металла через окисную пленку. [49]
 |
Зависимость толщины 0 1 образовавшегося слоя полимерной пленки от потенциала подложки. [50] |
На рис. 8 - 30 приведена зависимость скорости роста пленки от энергии электронов. Максимальная скорость роста наблюдается при энергии электронов 150 - 200 эв. Замечено, что равновесное значение скорости роста устанавливалось только тогда, когда на металлической поверхности образовывался слой полимера толщиной в несколько молекул. [51]
На рис. 0 - 8 показана зависимость скорости роста пленки хрома от температуры при термическом разложении иодида бмс-бензолхрома. Видно, что скорость образования пленки резко возрастает в интервале 350 - 400 С, а затем с повышением температуры остается постоянной. [52]
Интересными работами по влиянию строения исходных веществ на скорость роста пленок в безэлектродном разряде являются исследования Ясуда и Ламазе [ 22, 23, 24), проведенные со стиролом и углеводородами, содержащими и не содержащими двойных олефиновых связей. [53]
Таким образом, при очень большой толщине пленки скорость роста пленки определяется диффузией. [54]
Таким образом, полученные результаты показывают, что скорость роста пленки CdxHgx jTe не является постоянной и ее изменение во времени можно легко объяснить непрерывным уменьшением в процессе выращивания различия в химических потенциалах источника и подложки. Что же касается влияния толщины подложки, то с ее увеличением процесс выравнивания химических потенциалов во времени замедляется, в результате чего иленки CdxHgi xTe, выращенные за одно и то же время на более толстых подложках, имеют большую толщину. [55]
По мере приобретения пленкой защитных свойств диффузия затрудняется и скорость роста пленки уменьшается. [56]
Однако вопрос о влиянии строения и состава исходного вещества на скорость роста пленок, их состав, структуру и свойства HsvneH недостаточно. Были определены скорости образования пленок ( весовым методом) и соотношение в полимере водорода и углерода. Но полученные данные не были систематизированы, состав и свойства образующихся пленок не изучены. [57]
В ряде работ, например ( д ] изучается зависимость скорости роста пленок от мощности разряда. [58]
Страницы: 1 2 3 4