Скорость - рост - пленка
Cтраница 3
Данные о процессе, определяющем скорость роста пленок при химических транспортных реакциях, противоречивы. Мест и Шапп [139] считают, что в закрытой системе рост контролируется скоростью химической реакции на поверхности. Джойс и др. [14, 20] делают вывод, что наиболее медленными стадиями процесса являются сорбция реагентов и поверхностная реакция. В большей части работ [17, 31, 140-145], посвященных изучению роста германия, кремния и полупроводниковых соединений, доказывается, что при обычных условиях эпитаксиального роста скорость процесса определяет не химическая реакция на поверхности, а диффузия и конвекция в газовой фазе. [31]
 |
Зависимость скорости роста пленки от концентрации четыреххлористого кремния в водороде ( в молярных долях. [32] |
При малых скоростях потока газа скорость роста пленки имеет почти прямолинейную зависимость. С повышением скорости потока она снижается. На рис. 2 - 12 изображена эта зависимость. Большое влияние оказывает насыщенность водорода парами тетрахлорида кремния. На рис. 2 - 13 приведена эта зависимость в молярных долях тетрахлорида кремния в водороде. Первоначально с увеличением концентрации тетрахлорида кремния происходит значительное увеличение скорости роста пленки. [33]
Изучено влияние облучения электронами на скорость роста пленок карбида молибдена при таких температурах подложки, когда возможна термическая диссоциация гексакарбопила молибдена. [35]
В работе [102] изучена зависимость скорости роста пленок окиси кремния от мощности тлеющего разряда, температуры подложки, потока ионов. [36]
 |
Зависимости толщины окисла кремния от температуры. [37] |
Наложение постоянного электрического поля влияет на скорость роста пленки. Поэтому можно предполагать, что в процессе диффузии через окисел участвуют не нейтральные атомы, а ионы кислорода. [38]
Однако известен ряд случаев, когда скорость роста пленки уменьшается гораздо быстрее, чем обратно пропорционально корню из времени, но следует некоему закону, близкому к экспоненциальному, и по достижении некоторой толщины пленки рост ее практически прекращается. Такое явление наблюдается во многих случаях воздействия окислителей на поверхность металлов и приводит к образованию защитных пленок, препятствующих коррозии. Типичным примером является образование окисной пленки на поверхности алюминия. [39]
 |
Зависимости толщины окисла кремния от температуры. [40] |
Наложение постоянного электрического поля влияет на скорость роста пленки. Поэтому можно предполагать, что в процессе диффузии через окисел участвуют не нейтральные атомы, а ионы кислорода. [41]
Как видно из полученного уравнения, скорость роста пленки расплава зависит от температуры цилиндра, напряжения сдвига ( вязкости полимера), скорости движения и теплофизических характеристик полимера. [42]
Увеличение клеммового напряжения приводит к увеличению скорости роста пленки. Наиболее значительное увеличение толщины пленки отмечается при напряжениях выше 70 в. Процесс анодирования ведется практически при постоянном клеммовом напряжении. Напряжение поднимается от нуля до заданного за первые 3 - 7 мин. Сила тока в процессе анодирования по мере роста пленки непрерывно падает. [43]
На рис. 5 изображены кривые изменения скорости роста пленок CdTe с температурой по длине зоны кристаллизации, построенные по данным экспериментов, проведенных при различных отношениях Рса / Рте, при 620 град / с. Видно, что с увеличением отклонения состава пара от стехиометрического ( Ры / Рте, - 2) ( кривая 7) как в сторону избытка кадмия ( кривые 2, 3, б, 7), так и в сторону избытка теллура ( кривые 4, 5), скорость роста пленки резко падает. Это свидетельствует о том, что скорость охлаждения парогазовой смеси остается ответственной за характер температурного распределения пересыщения и при кристаллизации CdTe из паровой фазы различного состава. Наклон изображенных на рисунке прямых определяется отношением Рсл / Рта, на входе в зону кристаллизации. [44]
В температурном интервале 900 - 1200 С скорость роста пленки была на начальной стадии, длившейся приблизительно до 16 ч, параболической и затем становилась линейной. [45]
Страницы: 1 2 3 4