Скорость - рост - пленка
Cтраница 2
При постоянной температуре скорость роста пленки ареенида галлия линейно зависит от концентрации галлийорганического соединения. На рис. 10 - 3 показана зависимость скорости роста ареенида галлия от концентрации триметилгаллия при 725е С. [16]
 |
Кривые изменения скорости роста пленок германия в зависимости от концентрации GeCl4 в водороде при различных tn и на разных гранях монокристаллов германия. [17] |
Рассмотрим, как скорость роста пленок германия зависит от условий процесса. [18]
Была найдена зависимость скорости роста пленки арсенида галлия на окиси алюминия от температуры при постоянной скорости введения - паров триметилгаллия в реактор. [19]
Установлена экспоненциальная зависимость скорости роста пленок кремния от температуры подложки при различных плотностях тока электронного луча. На рисуике ( б) видно, что между давлением паров три-этилвинилсилана в камере и скоростью роста пленок в изученном интервале давлений наблюдалась линейная зависимость. [20]
Было найдено, что скорость роста пленки зависит от давления кислорода, а присутствие или отсутствие воды едва только сказывается - факт, который убедил Штейнгейля, что-продуктом реакции является окись, а не гидроокись. [21]
Существует несколько вариантов зависимости скорости роста пленки во времени. [22]
 |
Блок-схема прибора контроля разности скоростей нанесения пленок двух свидетелей. [23] |
Еще одним подтверждением зависимости скорости роста пленки от напряженности поля является следующее рассуждение. Предположим, что скорость роста пленки увеличивается с возрастанием напряженности поля. [24]
 |
Схема процесса образования пори - стой оксидной пленки на металле. [25] |
Существует несколько вариантов зависимости скорости роста пленки во времени. [26]
Наиболее существенным фактором, определяющим скорость роста пленок в методе малого зазора, является скорость диффузии. При малых давлениях скорость роста резко увеличивается с возрастанием давления НС1, при больших давлениях - не зависит от его значения. Скорость роста пленки увеличивается с повышением температуры источника и уменьшением зазора между источником и подложкой. [27]
По мере увеличения продолжительности процесса скорость роста пленок уменьшается ( рис. 5.13), что связано с рассеиванием газообразных продуктов реакции из малого зазора и падением парциального давления хлороводорода. [29]
Экспериментальными исследованиями установлено, что скорость роста пленок зависит от ориентации и степени разориенти-ровки подложек по кристаллографическим осям. [30]
Страницы: 1 2 3 4