Скорость - рост - слой
Cтраница 1
Скорость роста слоя постепенно уменьшается. [1]
Скорость роста слоя окисла определяется уравнением АХ / At Ш / е, где Q - объем Си2О, приходящийся на ион металла. К сожалению, выразить / как функцию от X в явной форме из уравнений ( 58) и ( 53), нельзя, но из этих уравнений легко могут быть выведены два предельных закона роста. [2]
Но скорость роста слоя МоО2 превышает скорость растворения; толщина пленки возрастает. Однако высокие скорости коррозии молибдена в этих условиях свидетельствуют о том, что выход металла в раствор возможен и непосредственно через пленку - по ее макро - и микро-дефектам, - так как вследствие высокой скорости окисления пленка не является достаточно компактной, не обладает хорошей когезиеи и адгезией и, следовательно, достаточными защитными свойствами. [3]
На скорость роста слоя влияет ориентация подложки. [4]
Установлено, что скорость роста слоя SiO2 возрастает от 10 до 70 А в минуту с повышением температуры, увеличением расхода исходного материала, а также зависит от расположения подложки относительно потока. [5]
 |
Скорость осаждения ниобия в зависимости от температуры. [6] |
Образование карбида ниобия наблюдается при скорости роста слоя, не превышающем 30 мк в час. [7]
Это классический параболический закон, но скорость роста слоя выражена в виде функции давления. В рассматриваемых условиях ( Ре с Р) наблюдается слабая зависимость от давления. [8]
 |
Вид исходной и окисленной при 1500 вшчшюй поверхности ооразца, полученного при 1350. [9] |
Степень совершенства ориентации увеличивается с уменьшением скорости роста слоя. [10]
В зависимости от давления р моносилана поведение скорости роста слоя различно при температурах подложки ниже и выше 1100 С. [11]
 |
Температурная зависимость давления пара SiCl ( 1, РС13 ( 2, ВВг3 ( 3. [12] |
Отличительной особенностью силанового процесса эпитак-сии кремния является независимость скорости роста слоя от ориентации подложки, что связано с необратимостью реакции пиролиза моносилана. [13]
Такой характер кристаллизации сохраняется до тех пор, пока скорость роста слоя не становится равной с - максимальной линейной скорости роста кристаллов. Дальнейший процесс кристаллизации протекает, как в первом случае, с выращиванием кристаллов из уже образовавшихся ранее. [14]
По данным Вайды и Гленга [108], в интервале 1100 - 1200 С скорость роста слоя при восстановлении трихлорсилана слабо зависит от температуры. Они объясняют это особенностями конструкции нагревателя и распределения газового потока в реакторе. [15]
Страницы: 1 2 3 4