Скорость - рост - слой
Cтраница 3
Методом электронной спектроскопии для химического анализа идентифицированы Си, Си2 и Zn24 -; Сера в основном содержится в сульфидах, и лишь небольшое количество сульфатов ( SO42 -) обнаружено на внешней поверхности элементов. Этот вывод подтверждает наблюдаемое уменьшение скорости роста слоя Cii2S ( выращиваемого посредством окунания) при повышении концентрации цинка. [31]
 |
Форма фигур роста на грани N. а - в направлении СД. б - в обратном направлении. [32] |
Процесс роста слоев ZnO на подложках Ge и GaAs осложняется диффузией атомов подложки в растущий слой ZnO. Здесь уместно предположить, что если скорость роста слоя ZnO гораздо больше скорости диффузии атомов подложки в пленку, то пленки ZnO будут иметь более совершенную поверхность. Эксперимент подтверждает справедливость такого предположения. [33]
Как правило, при химическом взаимодействии ориентированное нарастание имеет место лишь при некоторых оптимальных экспериментальных условиях. По-видимому, совершенство ориентировки связано со скоростью реакции: степень совершенства ориентировки увеличивается с уменьшением скорости роста слоя. При больших концентрациях реагента и при экзотермической реакции выделяется много тепла, скорость реакции увеличивается и в осадке наблюдаются кристаллы с произвольной ориентировкой. [34]
Была сделана попытка проверить влияние вытеснения воздуха из контейнера на скорость процесса борирования, для чего на дно контейнера перед его заполнением карбидом бора задавали различные количества парафина. При этом было установлено, что небольшие добавки [ до 1 % ( по массе) ] парафина несколько увеличивали скорость роста слоя до некоторого максимума, а при больших добавках скорость снижалась. [35]
В настоящей работе сделана попытка разобраться в несоответствии эксперимента и расчета и выяснить, какая из причин вносит больший вклад в эти отклонения. Изменяя соотношение между кремнием, хлором и водородом в парогазовой фазе в проточной системе добавлением в исходную смесь SiCU-На газообразного хлористого водорода, можно добиться того, что скорость роста эпи-таксиального слоя кремния окажется равной нулю. [36]
 |
Температурная зависимость константы скорости роста диборида k в композитах. [37] |
Измерения скорости реакции бора с бинарными титановыми сплавами были проведены при 1033 К. Эта температура достаточно низка, чтобы изменение механизма реакции при ожидаемой температуре эксплуатации было маловероятным, и в то же время достаточно высока для того, чтобы при разумных выдержках можно было получить измеримые скорости роста слоя. [38]
 |
Зависимость выхода-арсенида галлия z от соотношения Q pAsCi3 / PGaci па вх Де в зону осаждения. [39] |
Обычно подложку вводят в зону осаждения после завершения процесса насыщения расплава галлия мышьяком. Это обеспечивает в дальнейшем постоянство состава газовой смеси и, следовательно, однородность растущего слоя. Скорость роста слоя зависит от ориентации подложки. Обычно наблюдается соотношение 1 ( ш) А гюд f ( 2inB 0зшв f ( 3ii) A f ( ioo) A ( их в - Здесь индекс А относится к подрешетке металла, В - металлоида. [40]
В качестве подложек обычно используют пластины лейко-сапфира с ориентацией ( 0001), ( 1120) или ( 1012), которые предварительно подвергают высокотемпературному травлению в водороде. Непосредственно перед эпитаксией их травят в смеси ( НС1 Аг) в реакторе. Скорость роста слоя может достигать значений - 1 мкм / мин. [41]
Изменения в распределении катионных вакансий и положительных дырок в двух областях пространственного заряда очень сложны, но распределение в массе окисла достаточно просто. Так как в любой среде с неисчезающей электропроводностью не может быть постоянного распределения заряда в макроскопическом масштабе, то основная масса окисла должна оставаться незаряженной, но в ней устанавливается равномерный градиент концентрации катионных вакансий и положительных дырок. Скорость роста слоя окисла пропорциональна скорости диффузии катионных вакансий или положительных дырок в зависимости от того, какая из этих двух скоростей в массе окисла будет медленнее, а скорость диффузии в свою очередь пропорциональна градиенту концентрации. Отсюда ясно, что при увеличении толщины слоя окисла достигается такой момент, когда скорость окисления будет определяться переносом реагирующего материала через массу окисла, причем реакции ( 17) и ( 27) на поверхностях раздела достигают равновесия. В дальнейшем будет показано, что когда этот момент наступает, то дальнейший процесс окисления происходит по известному параболическому закону. [42]
При десублимации веществ на охлаждаемых поверхностях, как правило, образуется пористый слой кристаллов, толщина и структура которого изменяются в ходе процесса. В начале процесса на охлаждаемой поверхности обычно образуется кристаллический слой в виде инея, состоящего из игольчатых или дендритных кристаллов. Толщина такого слоя сначала быстро растет, однако затем скорость роста слоя снижается - вплоть до нуля. Одновременно с ростом толщины слоя идет его уплотнение - в результате проникновения пара в слой и его последующей кристаллизации там. Одновременно с этим в слое десублимата происходит перекристаллизация вещества: первично образовавшиеся неравновесные формы кристаллов превращаются в более устойчивые формы. Все это постепенно приводит к уменьшению порозности слоя десублимата, вплоть до образования монолитного слоя. [43]
Одним из основных показателей качества гетероэпитак-сиальных слоев кремния на сапфире является значение подвижности носителей, зависящее от степени совершенства структуры слоя, механических напряжений и уровня содержания примесей. Обычно подвижность в эпислоях составляет TOSS и 45 - 55 % от подвижности в кристаллах для образцов с р - и n - типами электропроводности соответственно. При получении слоев р-типа верхний предел подвижности определяется главным образом скоростью роста слоя и уменьшается с ее увеличением. Высокую подвижность в слоях и-типа получить трудно, что связано с компенсацией слоя алюминием в процессе автолегирования из подложки. [44]
Если увеличение температуры поверхности раздела металл - окись ( или средней температуры окисного слоя) приводит к увеличению скорости коррозии, тогда существует потенциал для ускоренной коррозии в условиях теплопередачи по сравнению с условиями без теплопередачи для одинаковой температуры на поверхности раздела окисел - вода. Рассмотрения такого рода предпринимались Вэлдманом и Коэном [21], чтобы изучить это явление аналитически в то время, когда имеющаяся экспериментальная техника не позволяла провести непосредственные измерения. Была принята модель для худшего случая, а именно, что после перелома окисная пленка состоит из тонкого непроницаемого внутреннего слоя при температуре поверхности раздела окисел - металл и толстого наружного слоя, содержащего прожилки, в которых поддерживался рассчитанный температурный градиент. Скорость роста слоя окиси, как предположено, равна R ( см. рис. 8.6) при температуре Тт. [45]
Страницы: 1 2 3 4