Cтраница 4
Десублиматоры с конденсацией паров на внутренних поверхностях труб по своей конструкции практически ничем не отличаются от обычных кожухотрубных теплообменников. В этом случае парогазовая смесь подается в трубное пространство, а хладоагент - в межтрубное. Недостатком таких десублиматоров является неравномерное ( по длине труб) отложение десублимата. Скорость роста слоя десублимата обычно на входных участках труб значительно выше, чем на концевых. Это связано с падением концентрации конденсирующихся компонентов в парогазовой смеси по мере ее движения в трубах. Неравномерное выпадение десублимата снижает общую эффективность процесса и часто приводит к зарастанию входных участков труб. Для улучшения степени использования охлаждающих поверхностей иногда применяют ступенчатое или постепенное изменение уровня кипящего хладоагента в межтрубном пространстве. Такой прием, в частности, используется в вертикальных трубчатых конденсаторах сублимационных сушилок. [46]
Для пироуглерода характерно наличие значительных внутренних напряжений. Их величина и характер распределения в ряде случаев опреде-ляюще влияет на работоспособность изделий в процессе их эксплуатации. Действие напряжений проявляется не только в виде образования трещин и сколов, но и в нарушении структуры между слоями, вызывает различ-ного вида расслоение. Причиной возникновения напряжений является прежде всего высокая анизотропия термического расширения ( в направлении, перпендикулярном к слою а может быть в 30 раз выше, чем в параллельном), а также скорости роста слоя, пропорциональной температуре осаждения и изменяющейся по мере его утолщения. [47]
В области массопереноса на скорость осаждения оказывает влияние геометрия реактора, определяющая л: инейные скорости потоков в зоне осаждения. При снижении давления силана возрастает вероятность протекания гетерогенной реакции. Переход к гомогенному пиролизу происходит при давлении - 200 Па. В области давлений, превышающих это значение, пиролиз происходит в газовой фазе с образованием мелкодисперсного порошка аморфного кремния. Скорость роста слоя в этих условиях составляет 0 8 мкм / мин. [48]
Замкнутый процесс осуществляется следующим образом. В кварцевую трубку на Некотором расстоянии друг от друга ( - 20 см) помещаются загрузка Ge в виде отдельных кусочков, монокристаллическая затравка и кристаллы йода. После уплотнения трубки загрузка и затравка нагреваются. Ge протекает слева направо при пониженных температурах ( - 400 С), а в обратном направлении - при повышенных. В работе [123] найдено, что скорость роста слоя существенно увеличивается с ростом концентрации йода. При указанных выше температурах и концентрации йода 2 мг / см3 скорость роста составляла 75 - 200 мк / день. Скорость роста и вид осадков зависят также от ориентации кристалла-затравки, причем на плоскостях ( 111) слои имеют наилучшую структуру. Электрические измерения свойств эпитаксиальных пленок позволили установить, что чистота их сравнима с чистотой кристаллов, растущих из расплава. [49]
Как известно, реакция пиролиза гидридов может протекать на поверхности подложки и в объеме газа. Распад молекул гидрида в объеме может привести к нарушению эпитаксиального роста. В связи с этим важной задачей при выборе технологических параметров эпитаксиального процесса является сведение к минимуму доли гомогенного распада гидрида. Эти условия и определяли скорость роста слоев. Для промышленного использования эпитаксиального процесса желательно иметь большие скорости роста. Однако следует помнить, что скорость роста слоя в значительной мере определяет его структуру и морфологию. [50]
Так, Ньюмен и Гольдшмит [126] описали автоэпитаксию арсенида галлия. Хлористый водород и гелий протекали через трубку со скоростью нескольких см3 / мин и сотен CMSJMUH соответственно. На плоскости ( 111) GaAs при скорости протекания НС1, равной 1 - 2 см31мин, скорость роста слоя составляла 60 мк / час. [51]