Скорость - рост - слой
Cтраница 2
В работе [60] проведены исследования по выявлению зависимости между скоростью фильтрования суспензии, скоростью роста слоя осадка и временем фильтрования. Рассмотрено одномерное фильтрование, для которого выведены соответствующие зависимости. Значения толщины полученного осадка, найденные расчетным путем, были проверены экспериментально. [16]
В этом случае свободный доступ окислителя к поверхности металла прекращается ( коэффициент Пиллинга-Бедворта больше 1), а скорость роста слоя зависит от диффузии реагентов. По мере увеличения толщины слоя эта скорость уменьшается. [17]
 |
Влияние температуры азотирования железа в течение 6 ч яа толщину. слоев JE - и у - фаз ( Ю. М. Лахтин. [18] |
Из-за одновременного и разного изменения коэффициентов диффузии, градиентов концентрации внутри фаз и скачков концентрации на их границах скорость роста слоя каждой фазы, определяемая уравнением ( 44), может изменяться с повышением температуры химико-термической обработки сложным образом. [19]
В этом случае свободный доступ окислителя к поверхности металла прекращается ( коэффициент Пиллинга - Бедворта больше 1), а скорость роста слоя зависит от диффузии реагентов. По мере увеличения толщины слоя эта скорость уменьшается. [20]
Как видно из рисунка, легирование примесью В способствует повышению скорости наращивания слоя поликристаллического кремния, тогда как примесь Р не оказывает влияние на скорость роста слоя. [22]
 |
Вертикальный реактор для эпитаксии кремния.| Константы равновесия реакций - при различных температурах. [23] |
Термодинамический анализ процесса позволяет определить вероятность протекания каждой из промежуточных стадий, а также произвести оценку максимального выхода конечного продукта процесса - кремния - и скорости роста слоя. [24]
Предположение, что в условиях поляризации катода возникает деполяризация за счет образования сплава выделяемого металла с металлом подложки не подтверждается на основании следующих соображений: сравнения скоростей роста слоя осаждаемого металла и коэффициентов диффузии никеля в платину и в молибден, согласно нашим расчетам, показывают, что последние на несколько порядков ниже, чем скорость продвижения фронта роста осадка. [26]
Учитывая, что реакция происходит только за счет диффузионного потока реагирующего газа, а поел, гний полностью поглощается в конце пути диффузии ( условие диффузионной области), мы можем скорость роста слоя твердого продукта приравнять диффузионному потоку. [27]
 |
Зависимость разности выхода кремния в реальных и в равновесных условиях от концентрации SiCl4 для различных концентраций свободного НС1, мол. %.. - о, 2 - 2, з - L. [28] |
На практике это различие может быть реализовано в хло-ридном процессе, если условия роста на поверхности подложки близки к равновесным. Зависимость скорости роста слоя кремния от концентрации SiQ4 имеет вид кривой с максимумом и пересекает ось концентраций в двух точках, в окрестностях которых и возможна локализация эпитаксии. Из рисунка видно, что с ростом концентрации SiCl4 увеличивается выход кремния и, следовательно, облегчаются условия нуклеации. Начало осаждения кремния на маске соответствует точке А на кривой 1, для которой пересыщение равно критическому. Такое пересыщение в области больших концентраций SiCl4 наблюдается в точке В. Характер осаждения поликристаллического кремния на маске в области малых и больших концентраций различен. Селективность эпитаксии лучше обеспечивается в точке В. Добавление в парогазовую смесь хлористого водорода смещает максимум кривой в сторону меньших концентраций тетра-хлорида кремния. [29]
Оптимальными условиями получения таких слоев являются: скорость потока водорода 1 5 л [ мин, концентрация SiBr4 0 6 - 1 % ( молярн. С, скорость роста слоя 0 125 - 0 25 мм / час. Рентгеновские и металлографические исследования показали, что осадок имеет ту же ориентацию, что и подложка. Осадки имеют проводимость л-типа и сопротивление от 1 до 100 ом-см. [30]
Страницы: 1 2 3 4