Скорость - травление
Cтраница 1
Скорость травления в Нг5О4 в основном зависит от температуры. [1]
Скорость травления увеличивается также с повышением температуры растворов. [2]
 |
Профиль экспозиции пит, записанных с помощью объектива с NA 0 6 и скважностью 30 % ( р1100 им. [3] |
Скорость травления определяется как скорость, с которой толщина экспонированного фоторезиста уменьшается в процессе обработки. Для тонких слоев фоторезиста короткое время экспозиции и высокая интенсивность света, используемые в оптической записи, дают квадратичную зависимость скорости травления от экспозиции. Это значит, что между питами, где экспозиция сравнительно мала, при травлении фоторезист практически не удаляется. [4]
Скорость травления увеличивается при увеличении плотности тока и концентрации электролита. [5]
Скорость травления повышается с повышением температуры, поэтому травление рекомендуется вести при температуре 60 - 80 С. [6]
Скорость травления активных участков на поверхности кристалла, отвечающих выходам осей дислокаций, больше скорости травления ненарушенной поверхности, поэтому в местах выхода дислокаций образуются ямки травления пирамидальной формы. На рис. 7.18 изображена микрофотография дважды протравленной поверхности кристалла фтористого лития. Между травлениями к кристаллу было: приложено механическое напряжение. На снимке видны две ямки травления, отвечающие одной и той же дислокации. Левая большая ямка соответствует первоначальному положению дислокации. [8]
 |
Искажение профиля печатных 7IV Л / IV У1 J fs проводников при травлении. гт гТЧгтлг гт. [9] |
Скорость травления оказывает существенное влияние на качество формируемых элементов ПП. При малых скоростях время пребывания платы в травителе увеличивается, что приводит к ухудшению диэлектрических свойств оснований и увеличению бокового подтравливания. Оно возникает вследствие того, что травитель воздействует не только на медную поверхность, подлежащую удалению, но и на боковые, не защищенные резистом, стороны проводников и других элементов схемы. В результате этого искажается прямоугольный профиль печатных проводников, уменьшается их токонесущая способность и прочность сцепления с диэлектриком. Величина бокового подтравливания оценивается фактором травления / CS / a ( рис. 9.13), который представляет собой отношение толщины фольги S к величине изменения ширины печатного проводника а. Уменьшают фактор травления введением в используемые растворы специальных добавок: ионы металлов с более низким потенциалом, чем у меди, например Ag, Hg, Pt, Pd, Au, оказывают каталитическое действие на процесс, а органические соединения ( мочевина, аминотриазол, амиды и др.), адсор-бируясь на боковых поверхностях, ингибируют их растворение. [10]
Скорость травления зависит и от способа получения Si02: Si02, полученный химическим осаждением из газовой фазы, имеет низкую плотность, и скорость его травления может достигать нескольких тысяч ангстрем в минуту, а для Si 02, образованного разбрызгиванием, скорость травления колеблется от 1000 до 2000 А / мин. [11]
 |
Свойства фторидов. [12] |
Скорость травления зависит также от типа подложки, способа нанесения и химического состава материала На рис. 3.107 показаны кривые скорости травления платины различными фреонами [58], а на рис. ЗЛ08 - скорость травления кремния газообразным фтором [ 59], Можно заметить, что скорость травления зависит от типа тра вильного газа и его давления и эти зависимости не одинаковы. [13]
 |
Составы для химического травления анодной фольги.| Зависимость емкости. [14] |
Скорость травления увеличивается при увеличении концентрации и повышении температуры травящего раствора. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5