Cтраница 1
Скрайбирование с помощью алмазного резца - это самый старый из применяемых методов. Он заключается в том, что скрайбирующий тонкий алмазный резец движется по поверхности пластины вдоль линии скрайбирования или улицы, разделяющей отдельные кристаллы на поверхности пластины, и наносит на ней тонкие царапины. Вызванный скрай-бированием дефект в кристаллической структуре позволяет, сгибая, разломить пластину по линии скрайбирования. [1]
Скрайбирование - метод, получивший наибольшее распространение в промышленности для разделения пластин на кристаллы. [2]
Скрайбирование - метод резки и фасонной обработки образцов, в ходе которого испарением охватывается лишь часть поверхности вдоль границы раздела. [3]
![]() |
Схема скрайбирования ( а.| Форма кристалла после скрайбирования и разламывания. с исходной ориентацией пластины ( 111 ( в и ( 100 ( б. [4] |
Скрайбирование обычно производят на специализированных установках полуавтоматического типа. [5]
Широко используемое скрайбирование алмазным резцом имеет ряд недостатков, приводящих к значительному браку на заключительных операциях разделения в производстве ИМС. К этим недостаткам относятся: ветвление микротрещин, образующихся при воздействии резца на материал, что вызывает отклонение направления раскалывания от прямой линии; сколы материала подложки при пересечении линий скрайбирования; износ резца, заметный за время обработки одной пластияы. [6]
Для скрайбирования ситалловых подложек можно использовать стеклорезы - резцы для резки листового стекла, режущая часть которых выполнена ПО форме четырехгранной усеченной пирамиды. [7]
![]() |
Схема процесса скрайбирования. [8] |
Сущность скрайбирования заключается в нанесении на поверхность пластины со стороны структур алмазным резцом рисок. [9]
Шаг скрайбирования может быть измерен по шкале в правом окуляре микроскопа. [10]
Для лазерного скрайбирования стекла и большинства полупроводниковых материалов используются ИАГ-лазеры свободной генерации и лазеры на азоте. Вследствие более высокой поглощающей способности керамики на длине волны 10 6 мкм для скрайбирования керамических пластин более эффективны СО2 - лазеры. [11]
После окончания скрайбирования выключают привод, отводят стол полуавтомата в исходное положение и снимают полупроводниковую пластину с нанесенной сеткой рисок, предварительно отключив вакуум, создаваемый вакуумным насосом под полупроводниковой пластиной. [12]
![]() |
Станок для скрайбирования. [13] |
Для облегчения скрайбирования в нужных местах удаляют слой двуокиси кремния. Раскалывание пластин производят вручную или машинным методом. Ручное раскалывание позволяет получить больший выход годной продукции, так как оператор имеет возможность своевременно обнаружить линии некачественного реза и произвести разделение пластины в любой последовательности. [14]
Если при повторном скрайбировании риски совпадут, полуавтомат по шагу подачи настроен правильно. Если есть какое-либо-смещение рисок, необходимо отпустить винт, стопорящий горизонтальное перемещение оптической головки микроскопа, и микровинтом, находящимся с тыльной стороны оптического устройства, переместить головку микроскопа так, чтобы визирная линия окуляра-микроскопа передвинулась от впервые нанесенной риски к риске, нанесенной повторно. Затем проверяют настройку и, если необходимо, настраивают полуавтомат до полного совпадения рисок по-шагу. [15]