Cтраница 2
Когда будет выполнено скрайбирование пластин в одном направлении, надо выключить привод, вращая маховичок на валу электродвигателя привода механизма резки, вывести из зацепления собачку храповика с храповым колесом и перевести стол в первоначальное положение. Выход храповика из зацепления определяют по отсутствию характерного по щелкивания. Затем следует развернуть верхнюю часть стола полуавтомата на 90, проверить установку полупроводниковой пластины по микроскопу, включить привод и произвести скрайбирование полупроводниковой пластины в направлении, перпендикулярном первому скрайбированию. [16]
Таким образом, лазерное скрайбирование является экономически выгодным прежде всего благодаря уменьшению потерь материала. Кроме того, при лазерном скрайбировании сокращается трудоемкость операции разделения пластин кремния в 10 - 15 раз. [17]
Основными преимуществами метода скрайбирования являются его высокая производительность и малая ширина реза, практически исключающая потери материала. [18]
Кинематическая схема установки для скрайбирования напоминает схему продольно-строгального станка. При прямом ходе резец наносит риску по всей длине пластины. При обратном ходе резец приподнимается, пропуская столик с пластиной, а стол 4 совершает поперечную подачу на шаг. [19]
Настройку полуавтомата по шагу скрайбирования начинают с проверки правильности положения контрольной риски указателя шага на шкале, указывающей величину шага. [20]
Каждый кристалл, полученный после скрайбирования ( надреза с помощью лазерного луча или алмазного резца) и ультразвуковой ломки подложки, может содержать все элементы ИС: полевые или биполярные транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, а также контактные площадки для присоединения внешних токоотводов. [21]
Перечисленные требования достаточно хорошо удовлетворяет метод скрайбирования. Стеклянное основание покрывают методом пульверизации сплошной непрозрачной пленкой. Широко используют, например, черную нитроэмаль Экстра. После сушки слоя и контроля пластину устанавливают на стол координатографа. [22]
![]() |
Полуавтомат для скрайбирования. / - панель управления, 2 - основание, 3 - оптическое устройство, 4 - резцедержатель, 5 - привод. [23] |
Перемещение стола с пластиной, подлежащей скрайбированию, осуществляется от электродвигателя 1 через редуктор 2, кривошип 3, шатун 4, храповой механизм 6 и 9, ходовой винт 10, который, вращаясь в гайке, закрепленной на столе 12, перемещает стол с заданным шагом. Отвод стола в исходное положение осуществляют маховиком 11 вручную. Параллельность движения резца относительно поверхности стола обеспечивается кареткой 19, которая при работе полуавтомата перемещается в направляющих. Такая конструкция обеспечивает нарезание пластины с заданной чистотой и точностью. [24]
Для получения рисунка на фотооригинале используется метод скрайбирования на координатографах с помощью резца. В табл. 27 приведены основные характеристики координатографов. [25]
Модель 1400 АХ лазерной установки обеспечивает скорость скрайбирования от 120 до 240 мм / с. Производительность установки зависит от диаметра пластины и расстояния между канавками ( рис. 104) и от толщины. [26]
В связи с этим перспективными являются методы бесконтактного скрайбирования, и прежде всего лазерное скрайбирование. Обработка на установках с использованием импульсного ОКГ на алюмоитриевом гранате с неодимом ( частота следования импульсов до 100 с -) показывает эффективность лазерного скрайбирования. Глубокие риски получают с достаточно чистыми краями. Благодаря полной и качественной ломке пластин сокращается в несколько раз время разделения пластин на кристаллы. [27]
![]() |
Сборка гибридной интегральной микросхемы методом перевернутого кристалла.| Монтаж чипа. [28] |
Групповой метод ориентирования предусматривает сохранение положения кристаллов после скрайбирования и исключает одну из самых трудоемких операций - ориентирование хаотически расположенных кристаллов. [29]
Разделение пластины на отдельные кристаллы осуществляют, путем скрайбирования и последующей ломки пластины. [30]