Скрайбирование - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Теорема Гинсберга: Ты не можешь выиграть. Ты не можешь сыграть вничью. Ты не можешь даже выйти из игры. Законы Мерфи (еще...)

Скрайбирование

Cтраница 2


Когда будет выполнено скрайбирование пластин в одном направлении, надо выключить привод, вращая маховичок на валу электродвигателя привода механизма резки, вывести из зацепления собачку храповика с храповым колесом и перевести стол в первоначальное положение. Выход храповика из зацепления определяют по отсутствию характерного по щелкивания. Затем следует развернуть верхнюю часть стола полуавтомата на 90, проверить установку полупроводниковой пластины по микроскопу, включить привод и произвести скрайбирование полупроводниковой пластины в направлении, перпендикулярном первому скрайбированию.  [16]

Таким образом, лазерное скрайбирование является экономически выгодным прежде всего благодаря уменьшению потерь материала. Кроме того, при лазерном скрайбировании сокращается трудоемкость операции разделения пластин кремния в 10 - 15 раз.  [17]

Основными преимуществами метода скрайбирования являются его высокая производительность и малая ширина реза, практически исключающая потери материала.  [18]

Кинематическая схема установки для скрайбирования напоминает схему продольно-строгального станка. При прямом ходе резец наносит риску по всей длине пластины. При обратном ходе резец приподнимается, пропуская столик с пластиной, а стол 4 совершает поперечную подачу на шаг.  [19]

Настройку полуавтомата по шагу скрайбирования начинают с проверки правильности положения контрольной риски указателя шага на шкале, указывающей величину шага.  [20]

Каждый кристалл, полученный после скрайбирования ( надреза с помощью лазерного луча или алмазного резца) и ультразвуковой ломки подложки, может содержать все элементы ИС: полевые или биполярные транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, а также контактные площадки для присоединения внешних токоотводов.  [21]

Перечисленные требования достаточно хорошо удовлетворяет метод скрайбирования. Стеклянное основание покрывают методом пульверизации сплошной непрозрачной пленкой. Широко используют, например, черную нитроэмаль Экстра. После сушки слоя и контроля пластину устанавливают на стол координатографа.  [22]

23 Полуавтомат для скрайбирования. / - панель управления, 2 - основание, 3 - оптическое устройство, 4 - резцедержатель, 5 - привод. [23]

Перемещение стола с пластиной, подлежащей скрайбированию, осуществляется от электродвигателя 1 через редуктор 2, кривошип 3, шатун 4, храповой механизм 6 и 9, ходовой винт 10, который, вращаясь в гайке, закрепленной на столе 12, перемещает стол с заданным шагом. Отвод стола в исходное положение осуществляют маховиком 11 вручную. Параллельность движения резца относительно поверхности стола обеспечивается кареткой 19, которая при работе полуавтомата перемещается в направляющих. Такая конструкция обеспечивает нарезание пластины с заданной чистотой и точностью.  [24]

Для получения рисунка на фотооригинале используется метод скрайбирования на координатографах с помощью резца. В табл. 27 приведены основные характеристики координатографов.  [25]

Модель 1400 АХ лазерной установки обеспечивает скорость скрайбирования от 120 до 240 мм / с. Производительность установки зависит от диаметра пластины и расстояния между канавками ( рис. 104) и от толщины.  [26]

В связи с этим перспективными являются методы бесконтактного скрайбирования, и прежде всего лазерное скрайбирование. Обработка на установках с использованием импульсного ОКГ на алюмоитриевом гранате с неодимом ( частота следования импульсов до 100 с -) показывает эффективность лазерного скрайбирования. Глубокие риски получают с достаточно чистыми краями. Благодаря полной и качественной ломке пластин сокращается в несколько раз время разделения пластин на кристаллы.  [27]

28 Сборка гибридной интегральной микросхемы методом перевернутого кристалла.| Монтаж чипа. [28]

Групповой метод ориентирования предусматривает сохранение положения кристаллов после скрайбирования и исключает одну из самых трудоемких операций - ориентирование хаотически расположенных кристаллов.  [29]

Разделение пластины на отдельные кристаллы осуществляют, путем скрайбирования и последующей ломки пластины.  [30]



Страницы:      1    2    3    4