Скрайбирование

Cтраница 3

Лазеры используются для сверления отверстий, резки и скрайбирования ( нанесение рис. на поверхность пластины полупроводника лазерным лучом), закалки, гравировки, изготовления и фигурной обработки тонких пленок, динамич. [31]

Изображение наносится экспонированием, вырезанием, гравированием, скрайбированием и другими способами. [32]

В общем случае лазерного воздействия на материал при скрайбировании необходимо учитывать следующие процессы: поглощение и рассеивание излучения, плавление и испарение, термомехани-ческе разрушение и пластическую деформацию, а также изменение структурного состояния и физико-химических характеристик материала. [33]

Сечение ( а и вид сверху ( б подложки после локального удаления напыленной пленки алюминия.| Фазовая диаграмма системы кремний - золото. [34]

Готовые схемы подвергают испытаниям и отбраковке, а затем скрайбированию, разламыванию и монтажу. Наиболее распространен монтаж с помощью системы кремний - золото, фазовая диаграмма которой показана на рис. 2.17. При температуре около 400 С золото и кремний образуют эвтетический сплав. Для выполнения монтажа нижнюю поверхность подложки сначала покрывают золотой пленкой, наносимой вакуумным напылением перед операцией скрайбирования. Затем производят нагревание подложки. После золочения нижней поверхности и скрайбирования подложки получают большое число готовых ИМС ( кристаллы), которые приваривают к металлизированному керамическому основанию кри-сталлодержателя, а затем 1методом термокомпрессионной сварки получают проволочные соединения от элементов ИМС к ножкам кри-сталлодержателя. Далее корпус герметизируют различными способами, начиная от заливки пластмассой и кончая герметичными стеклянными спаями. [35]

Операции сверления прецизионных отверстий, перфорации и фрезерования пазов и скрайбирования производятся преимущественно с помощью импульсных лазеров на гранате и СО2 - лазеров, работающих в импульсном периодическом режиме. [36]

Полная система производственного контроля полупроводниковых ИМС включает также контроль операций скрайбирования и ломки пластины на кристаллы, сборки и герметизации кристаллов. Это контроль кристаллов на функционирование, контроль внешнего вида и качества поверхности кристаллов, контроль дефектности корпуса и соединений, которые проводятся визуально на 100 % ИМС ( в цехе и ОТК), а также выборочный контроль прочности сварных соединений. [37]

Он позволяет делать глубокие канавки в кремниевой пластине вдоль линий скрайбирования. Канавки служат линиями, по которым пластина разламывается. [38]

Разделение пластин на кристаллы осуществляется тремя способами: 1) механическим скрайбированием ( алмазным резцом); 2) фрезерованием ( дисковой резкой); 3) с помощью лазерного луча. Принципы разделения пластин на модули с помощью лазерного луча основаны на локальном взаимодействии луча лазера с материалом полупроводниковой пластины, расплавлении и испарении его на линии раздела. К преимуществам такого процесса следует отнести: универсальность ( если для механического разделения необходимо освобождение от слоев оксида кремния, металлизации и т.п., для лазерного разделения это не обязательно), достаточную производительность, малую ширину реза, отсутствие механических повреждений. Недостатком процесса является большая вероятность попадания продуктов испарения на поверхность пластины, которая тем больше, чем больше глубина реза. [39]

Основным методом разделения полупроводниковых и стеклянных пластин на отдельные микросхемы является скрайбирование с последующим раскалыванием. Перед разделением пластины каждая схема проверяется на функционирование при помощи измерительной зондовой головки, которая контактируется с вводными площадками. Неисправные схемы помечают краской и после разделения пластины отбраковывают. [40]

Пластины из керамики с высоким содержанием окиси алюминия очень тверды для обычного скрайбирования. Разделяют их на части алмазным диском. Вследствие высокой стоимости такой операции был предложен метод нанесения бороздок на подложках до обжига. [41]

В связи с этим перспективными являются методы бесконтактного скрайбирования, и прежде всего лазерное скрайбирование. Обработка на установках с использованием импульсного ОКГ на алюмоитриевом гранате с неодимом ( частота следования импульсов до 100 с -) показывает эффективность лазерного скрайбирования. Глубокие риски получают с достаточно чистыми краями. Благодаря полной и качественной ломке пластин сокращается в несколько раз время разделения пластин на кристаллы. [42]

Перед началом работы на полуавтомате необходимо проверить настройку микроскопа и величину шага скрайбирования, а также правильность установки алмазного резца. Резец необходимо установить так, чтобы нанесенная им риска по глубине составляла бы половину толщины полупроводниковой пластины. При малой глубине рисок, нанесенных на пластину, затрудняется ее разлом на кристаллы, а при большей глубине рисок возможны поломка резца и сколы пластины. [43]

Стеклянные подложки, толщина которых равна 1 мм, могут быть разделены скрайбированием. При этом качество продукции зависит от распределения дефектов на поверхности, термической предыстории стекла, давления скрайбирующего инструмента, напряжения в осажденной пленке и опыта оператора. Поверхностные дефекты или мельчайшие царапины, например, могут являться причиной неправильного разламывания стекла. Несмотря на то, что такие дефекты часто могут быть удалены травлением стекла, эта операция изменяет размеры подложки или может придать поверхности другие нежелательные свойства. Стеклянные подложки могут быть разделены и распиливанием алмазными пилами. Однако этот метод по сравнению со скрайбированием является более дорогим. [44]

Цех изготовления кристаллов включает участки: фотолитографии, термический, тестовых измерений, скрайбирования. Отделочный цех может состоять из участков покраски, напыления, художественного оформления. Такая группировка затрат по центрам их возникновения позволяет легко определить их величину и ответственного за отклонения в издержках от нормативной величины. [45]

Страницы: 1 2 3 4